Публикации (Page 2)

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2011 год

Статьи:

  1. Уваров, И.В. Динамические характеристики чувствительного элемента микроакселерометра с повышенным фактором демпфирования / И.В.Уваров, О.В.Морозов, И.А.Козин, А.В.Постников, И.И.Амиров, В.А.Кальнов // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – № 12. – С. 38-40. – Библиогр.: с. 40 (7 назв. ) . – ISSN 1813-8586.
  2. Уваров, И. В. Исследование резонансных характеристик металлических микро- и нанобалок / И. В.Уваров, В. В.Наумов, М. К.Аминов, А. Н.Куприянов, И.И. Амиров // Нано- и Микросистемная техника. 2011. № 12. С.45-48.
  3. Бетелин, В.Б. ПАМЯТИ КАМИЛЯ АХМЕТОВИЧА ВАЛИЕВА / В.Б.Бетелин, Е.П.Велихов, Ю.В.Гуляев, А.А.Кокин, Ю.В.Копаев, Г.Я.Красников, Ф.А.Кузнецов, В.Ф.Лукичев, И.Г.Неизвестный, А.А.Орликовский, А.В.Раков, Ю.А.Чаплыгин // Успехи физических наук. 2011. Т. 181. № 5. С. 557-558.
  4. Богданов, Ю.И. Информационные аспекты интерференционных экспериментов “который путь” с микрочастицами / Ю.И.Богданов, К.А.Валиев, С.А.Нуянзин, А.К.Гавриченко // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.3-30.
  5. Богданов, Ю.И. Статистическое восстановление смешанных состояний поляризационных кубитов / Ю.И.Богданов, А.К. Гавриченко, К.С. Кравцов, С.П. Кулик, Е.В. Морева, А.А. Соловьев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.140. Вып.8. С.224-235.
  6. Bogdanov, Yu.I. STATISTICAL RECONSTRUCTION OF MIXED STATES OF POLARIZATION QUBITS / Yu.I.Bogdanov, A.K.Gavrichenko, K.S.Kravtsov, S.P.Kulik, A.A.Soloviev, E.V.Moreva // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2011. V. 113. № 2. P. 192-201.
  7. Bogdanov, Yu.I. Statistical Estimation of Quantum Tomography Protocols Quality / Yu.I.Bogdanov, G. Brida, I. D. Bukeev, M. Genovese, K. S. Kravtsov, S. P. Kulik, E. V. Moreva, A. A. Soloviev, A. P. Shurupov // Phys. Rev. A. 2011. V.84. 042108. 19 p.
  8. Bogdanov, Yu.I. Statistical properties of fidelity in quantum tomography protocols in Hilbert spaces of different dimensions / Yu.I.Bogdanov, I.D. Bukeev, A. K. Gavrichenko // arXiv: 1102.3880 [quant-ph]. 14 p.
  9. Bogdanov, Yu.I. Accuracy features for quantum process tomography using superconductor phase qubits / Yu.I.Bogdanov, S.A. Nuyanzin // arXiv: 1106.2906 [quant-ph]. 7 p.
  10. Богданов, А.Ю. Квантовые компьютеры: достижения, трудности реализации и перспективы / Ю.И.Богданов, К.А.Валиев, А.А.Кокин // Микроэлектроника. 2011. Т.40. №4. С.243-255.
  11. Bogdanov, Yu.I. QUANTUM COMPUTERS: ACHIEVEMENTS, IMPLEMENTATION DIFFICULTIES, AND PROSPECTS / Yu.I.Bogdanov, K.A.Valiev, A.A.Kokin // Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 4. С. 225-236.
  12. Богданов, Ю.И. Исследование адекватности, полноты и точности протоколов квантовых измерений / Ю.И.Богданов, И.Д. Букеев, А.К. Гавриченко // Оптика и спектроскопия. 2011. Т.111. №4. С.680- 689.
  13. Bogdanov, Y.I. STUDYING ADEQUACY, COMPLETENESS, AND ACCURACY OF QUANTUM MEASUREMENT PROTOCOLS / Y.I.Bogdanov, I.D.Bukeev, A.K.Gavrichenko // Optics and Spectroscopy. 2011. V. 111. № 4. P. 647-655.
  14. Filippov, S. Effect of image charge on double quantum dot evolution / S.Filippov, V. Vyurkov, L. Fedichkin // Physica E. 2011. V. 44. P.501-505.
  15. Svintsov, D. Effect of ‘‘Mexican Hat’’ on Graphene Bilayer Field-Effect Transistor Characteristics / D.Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, and T. Otsuji // Japanese Journal of Applied Physics. 2011. V. 50. № 7 PART 1. P. 070112.
  16. Khomyakov, A. Semi-analytical models of field-effect transistors with low-dimensional channels / A.Khomyakov and V. Vyurkov // Advanced Materials Research. 2011. V. 276. P.51-57.
  17. Zakharova, A. Spin-related phenomena in InAs/GaSb quantum wells / A.Zakharova, I.Semenikhin, K. A.Chao // Письма в ЖЭТФ. 2011. Т. 94. № 8. С. 704-709.
  18. Куприянов, Л.Ю. НАНОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК КОМПОЗИТА КРЕМНИЙ – УГЛЕРОД, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ / Л.Ю.Куприянов, Ю.Е.Рогинская, Н.В.Козлова, Е.Д.Политова, В.А.Кальнов, Е.Н. Жихарев // Российские нанотехнологии. 2011. Т. 6. № 9-10. С. 120-124.
  19. Кальнов, В.А. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ ВЫХОДА ГОДНЫХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ / В.А.Кальнов, И.А.Косолапов // Наноинженерия. 2011. № 2. С. 23-26.
  20. Katamadze, K.G. CONTROL OF THE FREQUENCY SPECTRUM OF A BIPHOTON FIELD DUE TO THE ELECTRO-OPTICAL EFFECT / K.G.Katamadze, A.V.Paterova, S.P.Kulik, E.G.Yakimova, K.A.Balygin // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V. 94. № 4. P. 262-265.
  21. Кокин, А.А. О косвенном взаимодействии между ядерными спинами в легкоосном антиферромагнетике / А.А.Кокин, В.А.Кокин // Теоретическая и математическая физика. 2011. Т.168. №3. С. 467-481.
  22. Kokin, A.A. INDIRECT INTERACTION BETWEEN NUCLEAR SPINS IN EASY-AXIS ANTIFERROMAGNETS / A.A.Kokin, V.A.Kokin // Theoretical and Mathematical Physics. 2011. Т. 168. № 3. С. 1258-1270.
  23. Корчагина, Т.Т. Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiNx на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок / Т.Т.Корчагина, В.А.Володин, А.А.Попов, К.С.Хорьков, М.Н. Герке // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 13. С.62-69.
  24. Кудря, В.П. Механизм возбуждения эмиссионной линии 345.1 нм иона бора в низкотемпературной молекулярной плазме / В.П.Кудря // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с.- ISBN 0868-7129. – С.145-154 .
  25. Ломов, А.А. Рассеяние рентгеновских лучей модулированными структурами пористого кремния / А.А.Ломов, В.И. Пунегов, В.А. Караванский, А.Л. Васильев // Кристаллография. 2011. Т.56. № 6 .С.1014-1022.
  26. Соболев, Н.А. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре / Н.А.Соболев, А.Е.Калядин, И.Е.Шек, В.И.Сахаров, И.Т.Серенков, В.И.Вдовин, Е.О.Паршин, М.И.Маковийчук // Физика и техника полупроводников. – 2011. Т. 45. № 8. С. 1038 – 1040.
  27. Алексеев, И.М. Термодинамическая модель влияния атомарных примесей на адгезионную прочность интерфейсов / И.М.Алексеев, Т.М. Махвиладзе, А.Х. Минушев, М.Е. Сарычев // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 5. С. 325-330.
  28. Alekseev, I.M. A THERMODYNAMIC MODEL OF THE INFLUENCE OF ATOMIC IMPURITIES ON THE ADHESION STRENGTH OF INTERFACES / I.M.Alekseev, T.M.Makhviladze, A.Kh.Minushev, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 5. С. 303-308.
  29. Гольдштейн, Р.В. Моделирование кинетики адсорбции решеточных дефектов границей соединенных материалов / Р.В.Гольдштейн, Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Поверхность. 2011. № 8. С.5-11.
  30. Goldshtein, R.V. MODELING THE KINETICS OF LATTICE DEFECT ADSORPTION INTO THE INTERFACE OF JOINT MATERIALS / R.V.Goldshtein, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2011. V. 5. № 4. P. 712-717.
  31. Махвиладзе, Т.М. Использование подхода, основанного на пространственно-временном методе конечных разностей, при моделировании фотолитографического процесса / Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев. // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с.- ISBN 0868-7129. – С.56-65.
  32. Алексеев, А.И. Моделирование влияния примесей на работу разделения интерфейса / А.И.Алексеев, Т.М. Махвиладзе, А.Х. Минушев, М.Е. Сарычев // – В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.: Наука, 2010. – 199 c . – ISBN 978-5-02-037494-2. – С.85-94.
  33. Махвиладзе, Т.М. Расширенный химический механизм осаждения пленок нитрида кремния из химически активной газовой фазы (ab initio моделирование) / Т.М.Махвиладзе, А.Х. Минушев, М.Е.Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.66-84.
  34. Митропольский, Ю.И. Развитие технологии, архитектуры и методов проектирования высокопроизводительных вычислительных систем / Ю.И.Митропольский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.31-54.
  35. Qviller, A.J. INTERMITTENT FLUX PENETRATION AT DIFFERENT TEMPERATURES IN YBA2CU3O7-X ON NDGAO3 SUBSTRATES / A.J.Qviller, V.Yurchenko, J.I.Vestgarden, T.H.Johansen, Y.Galperin, P.B.Mozhaev, J.E.Mozhaeva, J.B.Hansen, C.S.Jacobsen // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2011. V. 24. № 1-2. P. 179-181.

Страницы: 1 2 3 4

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2010 год

Статьи:

  1. Зимин, С.П. САМОФОРМИРОВАНИЕ 0-D И 1-D НАНОСТРУКТУР ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА ПОД МАСКОЙ ТРАВЛЕНИЯ В ХОДЕ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ / С.П.Зимин, Е.С.Горлачев, И.И.Амиров, В.В.Наумов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т. 10. № 1-2. С. 200-203.
  2. Амиров, И.И. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПРИРОДНОГО АЛМАЗА / И.И.Амиров, А.Н.Магунов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т. 10. № 1-2. С. 228-231.
  3. Богданов, Ю.И. Квантовая теория как унифицированная информационная модель статистических явлений / Дополнение к книге Бройер Х.-П., Петруччионе Ф. Теория открытых квантовых систем. – М.- Ижевск. РХД. – 2010. – С. 758- 814.
  4. Bogdanov, Yu.I. Statistical Estimation of the Efficiency of Quantum State Tomography Protocols / Yu.I.Bogdanov, G. Brida, M. Genovese, S.P.Kulik, E.V.Moreva, A.P.Shurupov // Phys. Rev. Lett. 2010. V.105. 010404.
  5. Bogdanov, Yu.I. et al. Statistical Estimation of Quantum Tomography Protocols Quality // arXiv: 1002.3477 [quant-ph]. 5 p.
  6. Богданов, Ю.И. Оптимизация протокола статистического восстановления поляризационных кубитов / Ю.И.Богданов, С. П. Кулик, Е. В. Морева, И. В. Тихонов, А. К. Гавриченко // Письма в ЖЭТФ. 2010. Т.91. Вып.12. C.755-761.
  7. Bogdanov, Y.I. OPTIMIZATION OF A QUANTUM TOMOGRAPHY PROTOCOL FOR POLARIZATION QUBITS / Y.I.Bogdanov, A.K.Gavrichenko, S.P.Kulik, I.V.Tikhonov, E.V.Moreva // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2010. V. 91. № 12. PС. 686-692.
  8. Богданов, А.Ю. Информационные аспекты интерференционных экспериментов «который путь» с микрочастицами / Ю.И.Богданов, К.А. Валиев, С.А. Нуянзин, А.К. Гавриченко // Микроэлектроника. 2010. Т.39. №4. С.243-264.
  9. Bogdanov, Yu.I., Valiev K.A., Gavrichenko A.K., Nuyanzin S.A. INFORMATION ASPECTS OF “WHICH-PATH” INTERFERENCE EXPERIMENTS WITH MICROPARTICLES / Yu.I.Bogdanov, K.A.Valiev, A.K.Gavrichenko, S.A.Nuyanzin // Russian Microelectronics. 2010. V. 39. № 4. P. 221-242.
  10. Брук, М.А. Механизм формирования и некоторые свойства тонких фторуглеродных пленок, нанесенных на пластины кремния путем электронно-лучевой полимеризации гексафторпропилена из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н. Жихарев, И.А. Волегова, А.В. Спирин, Н.В. Козлова, Э.Н. Телешов, В.А. Кальнов // Высокомолекулярные соединения. Серия Б. 2010. Т. 52. № 2. С. 330–335.
  11. Bruk, M.A. THE MECHANISM OF FORMATION AND SOME PROPERTIES OF THIN FLUOROCARBON FILMS DEPOSITED ONTO SILICON PLATES BY ELECTRON-BEAM POLYMERIZATION OF HEXAFLUOROPROPYLENE FROM THE VAPOR PHASE / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, N.V.Kozlova, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’Nov // Polymer Science. Series B. 2010. V. 52. № 1-2. P. 81-85.
  12. Vyurkov, V. Quantum computing based on space states without charge transfer / V.Vyurkov, S. Filippov, and L. Gorelik // Physics Letters A. 2010. V. 374. № 33. P. 3285-3291.
  13. Zakharova, A. ELECTRON OPTICAL SPIN POLARIZATION IN BROKEN-GAP HETEROSTRUCTURES / A.Zakharova, K.A.Chao, I.Semenikhin // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75210W.
  14. Semenikhina, I.A. INTERSUBBAND OPTICAL TRANSITIONS IN INAS/GASB QUANTUM WELLS / I.A.Semenikhina, A.A.Zakharova, K.A.Chao // Russian Microelectronics. 2010. Т. 39. № 1. С. 63-72.
  15. Семенихин, И.А. МЕЖПОДЗОННЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ ТИПА INAS/GASB / И.А.Семенихин, А.А.Захарова // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 1. С. 68-77.
  16. Дегтярев, А.В. Математическое моделирование влияния шероховатости поверхности фокусирующего канала на угловые характеристики пучка быстрых нейтральных частиц / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. №6. С. 430-435.
  17. Kudrya, V.P. EXCITATION MECHANISM OF THE B+ EMISSION LINE AT 345.1 NM IN LOW-TEMPERATURE PLASMAS / V.P. Kudrya // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.752109.
  18. Degtyarev, A.V. SIMULATION RESULTS FOR THREE NEUTRALIZATION CHANNEL DESIGNS OF A FAST NEUTRAL BEAM SOURCE / A.V.Degtyarev, V.P.Kudrya, Yu.P.Maishev // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75211G.
  19. Маишев, Ю.П. Установка прецизионного реактивного ионно-лучевого травления наноструктур для автоэмиссионных приборов / Ю.П.Маишев, Ю.П.Терентьев, С.Л.Шевчук, Н.И.Татаренко, В.А.Голиков // Микроэлектроника. 2010. Т.39. №4. С.253-262.
  20. Маковийчук, М.И. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ФЛИККЕР-ШУМОВОЙ ГАЗОВОЙ СЕНСОРИКИ / М.И.Маковийчук, А.Л.Чапкевич, А.А.Чапкевич // Русский инженер. 2010. № 26-27. С. 30-36.
  21. Makhviladze, Т. Electromigration theory and its applications to integrated circuit metallization / Т.Makhviladze, M. Sarychev // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.752117.
  22. Валиев, К.А. Теория и моделирование нано- и микропроцессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть II. Деградация и объемное разрушение поликристаллической проводящей линии / К.А.Валиев Р.В. Гольдштейн, Ю.В. Житников, Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 3. С. 163-176.
  23. Valiev, K.A. NANO-AND MICROMETER-SCALE THIN-FILM-INTERCONNECTION FAILURE THEORY AND SIMULATION AND METALLIZATION LIFETIME PREDICTION, PART 2: POLYCRYSTALLINE-LINE DEGRADATION AND BULK FAILURE / K.A.Valiev, R.V.Goldstein, Yu.VZhitnikov., T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2010. Т. 39. № 3. С. 145-157.
  24. Makhviladze, Т. Projection photolithography modeling using the finite-difference time-domain approach / Т.Makhviladze, M.Sarychev // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.752103.
  25. Alekseev, I. Modeling of the interfacial separation work in relation to impurity concentrations in adjoining materials / I.Alekseev, T. Makhviladze, A. Minushev, M. Sarychev // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.7521C.
  26. Goldstein, R. The thermodynamic theory of interfacial adhesion between materials containing point defects // R.Goldstein, T.Makhviladze, M.Sarychev / Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.7521B.
  27. Makhviladze, Т. Advanced atomic-scale simulation of silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia / Т.Makhviladze, A. Minushev // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75211А.
  28. Махвиладзе, Т.М. Моделирование влияния механических напряжений на кинетику роста кислородных преципитатов в кремнии / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Математическое моделирование физико-механических процессов. – Вестник Пермского национального исследовательского политехнического университета. Механика. 2010. № 1. С. 35-49.
  29. Yurchenko, V.V. Anisotrophic currents and flux jumps in high-Tc superconducting films with self-organized arrays of planar defects / V.V.Yurchenko, A.J. Qviller, P.B. Mozhaev, J.E. Mozhaeva, J.B. Hansen, C.S. Jacobsen, I.M. Kotelyanskii, A.V. Pan, T.H. Johansen // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2010. V. 470. № 19. P. 799-802.
  30. Мордвинцев, В. М. Влияние давления газовой среды и длительности управляющих импульсов на стабильность характеристик элементов памяти на основе электроформованных структур Si-SiO2-W / В. М.Мордвинцев, С.Е.Кудрявцев, В.Л.Левин, Л.А.Цветкова // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 5. С. 337-347.
  31. Miakonkikh, А. Application of Langmuir probe technique in depositing plasmas for monitoring of etch process robustness and for end-point detection / А.Miakonkikh, K.Rudenko // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75210A.
  32. Валиев, К.А. Кремниевая наноэлектроника: проблемы и перспективы / К.А. Валиев, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский // Успехи современной радиоэлектроники. 2010. №.6. С.7-22.
  33. Валиев, К.А. ИЗМЕРЕНИЕ ЛИНЕЙНЫХ РАЗМЕРОВ КРЕМНИЕВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НАНОРЕЛЬЕФА С ПРОФИЛЕМ, БЛИЗКИХ К ПРЯМОУГОЛЬНОМУ, МЕТОДОМ ДЕФОКУСИРОВКИ ЭЛЕКТРОННОГО ЗОНДА РЭМ / К.А.Валиев, В.П.Гавриленко, Е.Н.Жихарев, М.А.Данилова, В.А.Кальнов, Ю.В.Ларионов, В.Б.Митюхляев, А.А.Орликовский, А.В.Раков, П.А.Тодуа, М.Н.Филиппов // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 6. С. 420-425.
  34. Khorin, I.A. Hf-based barrier layers for Cu-metallization / I.A.Khorin, Yu. I.Denisenko, V.N.Gusev, A.A.Orlikovsky, A.E.Rogozhin, V.I.Rudakov, A.G.Vasiliev // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75210J-1.
  35. Rogozhin, А.Е. CoSi2/TiO2/SiO2/Si gate structure formation / А.Е.Rogozhin, I.A Khorin, V.V. Naumov, A.A. Orlikovsky, V.V. Ovcharov, V.I. Rudakov, A.G. Vasiliev // Proce.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P. 75210L. – doi:10.1117/12.854302

Страницы: 1 2 3 4

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2009 год

Статьи:

  1. Шумилов, С.А. Моделирование эффектов формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом циклическом процессе / С.А.Шумилов, И.И.Амиров, В.Ф.Лукичев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №6. С.428-435.
  2. Zimin, S.P. Micromasking efert and nanostuctures self-formation on the surface of lead chalcoenide epitaxial films on Si substrates during argon plasma treatment / S.P.Zimin, E.S.Gorlachev, I.I.Amirov, H. Zong // J.Phys.D: Appl. Phys. 2009. V.42. N16. P.165205
  3. Амиров, И.И. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники / И.И. Амиров, О.В.Морозов, А.В.Постников, В.А.Кальнов, А.А.Орликовский, К.А.Валиев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С.159-174.
  4. Shumilov, A.S. SIMULATION OF THE EFFECTS OF DEEP GROOVING IN SILICON IN THE PLASMOCHEMICAL CYCLIC PROCESS / A.S.Shumilov, I.I.Amirov, V.F.Lukichev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P.385-392.
  5. Бачурин, В.И. Влияние облучения ионами аргона на образование интерметаллических соединений в системе никель-алюминий / В.И.Бачурин, С.А.Кривелевич // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 4. С. 63-66.
  6. Moreva, E. V. Optimal protocol for polarization ququart state tomography / E.V.Moreva, Yu I. Bogdanov, A.K. Gavrichenko, I.V. Tikhonov and S.P. Kulik // Applied Mathematics & Information Sciences. – 2009. – 3(1). – C.1-12.
  7. Богданов, Ю.А. Унифицированный метод статистического восстановления квантовых состояний, основанный на процедуре очищения / Ю.А.Богданов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т.135. Вып.6. C.1068-1078.
  8. Bogdanov, Yu.I. UNIFIED STATISTICAL METHOD FOR RECONSTRUCTING QUANTUM STATES BY PURIFICATION / Yu.I.Bogdanov // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2009. V. 108. № 6. P. 928-935.
  9. Бочкарев, В.Ф. ПОЛУЧЕНИЕ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОК ПЛАЗМОСТИМУЛИРУЮЩИМ МЕТОДОМ / В.Ф.Бочкарев, В.В.Овчаров // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 176-180.
  10. Бочкарев, В.Ф. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХТОНКИХ FE-NI ПЛЕНОК ПРИ ПЛАЗМОСТИМУЛИРОВАННОМ МЕТОДЕ ОСАЖДЕНИЯ / В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 181-187.
  11. Валиев, К.А. Перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах / К.А.Валиев, А.А.Кокин // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . -ISBN 978-5-02-036976-4. – С.17-35.
  12. Khomyakov, A.N. A SEMIANALYTICAL MODEL OF A THIN-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR / A.N.Khomyakov, V.V.V’yurkov // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 393-405.
  13. Хомяков, А.Н. ПОЛУАНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ТОНКИМ КАНАЛОМ / А.Н.Хомяков, В.В.Вьюрков // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 6. С. 436-448.
  14. Семенихин, И.А. Межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны / И.А.Семенихин, А.А.Захарова, К.А.Чао // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С. 57.
  15. Изюмов, М.О. Электростатический прижим с температурной стабилизацией полупроводниковых пластин при плазменной обработке / М.О.Изюмов // Приборы и техника эксперимента. 2009. № 6. С. 131-132.
  16. Zvezdin, A.K. Toroidal moment in the molecular magnet V15. / A.K.Zvezdin, V.V.Kostyuchenko, A.I.Popov, A.F.Popkov, and A.Ceulemans // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. 172404.
  17. Kostyuchenko, V.V. Finite Size Effects in Field-Induced Transitions in Magnetic Multilayers / V.V.Kostyuchenko // Solid State Phenomena. 2009. V. 152-153. P. 245-248 .
  18. Костюченко, В.В. Индуцированные магнитным полем переходы в анизотропных магнетиках с двумя точками компенсации / В.В.Костюченко // Физика твердого тела. 2009. Т.51. Вып. 2. С. 316-319.
  19. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование наклонного канала нейтрализации плазменного источника нейтральных пучков / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №3. С.188-197.
  20. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование канала нейтрализации источника пучков быстрых нейтральных частиц / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С.136-158.
  21. Маишев, Ю.П. ИСТОЧНИКИ ИОНОВ И ИОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ НАНЕСЕНИЯ И ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ / Ю.П.Маишев, Ю.П.Терентьев, С.Л.Шевчук // Интеграл. 2009. № 5. С. 10-12.
  22. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовой газовый сенсор / М.И.Маковийчук, А.Л.Чапкевич, А.А.Чапкевич, В.А.Винокуров // Медицинская техника. – 2009. – Т.43. – №3. – С.5-10.
  23. Валиев, К.А. Теория и моделирование нано- и микропроцессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть 1. Общая теория переноса вакансий, генерации механических напряжений и зарождения микрополостей при электромиграции. Деградация и разрушение многоуровневой металлизации / К.А.Валиев, Р.В.Гольдштейн, Ю.В.Житников, Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. № 6. С.404-427.
  24. Гольдштейн, Р.В. Влияние примесей на работу отрыва по границе соединенных материалов / Р.В.Гольдштейн, Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Поверхность. 2009. № 12. С. 73-78.
  25. Махвиладзе, Т.М. Теория электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников и ее приложения / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. – С.85-110.
  26. Махвиладзе, Т.М. Термодинамический анализ прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. – С.111-134.
  27. Valiev, K.A. NANO- AND MICROMETER-SCALE THIN-FILM-INTERCONNECTION FAILURE THEORY AND SIMULATION AND METALLIZATION LIFETIME PREDICTION, PART 1: A GENERAL THEORY OF VACANCY TRANSPORT, MECHANICAL-STRESS GENERATION, AND VOID NUCLEATION UNDER ELECTROMIGRATION IN RELATION TO MULTILEVEL-METALLIZATION DEGENERATION AND FAILURE / K.A.Valiev, R.V.Goldstein, Yu.V.Zhitnikov, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 364-384.
  28. Gol’dshtein, R.V. INFLUENCE OF IMPURITIES ON THE WORK OF SEPARATION ALONG THE INTERFACE OF JOINED MATERIALS / R.V.Gol’dshtein, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2009. V. 3. № 6. P. 956-961.
  29. Можаев, А.В. Трехмерное моделирование динамических процессов формирования микрокластеров в кристаллической матрице / А.В.Можаев, Э.Ю.Бучин, А.В.Проказников // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 3. С. 1-7.
  30. Можаев, А.В. Расчет потенциала в моделях кластерного роста / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Вычислительные методы и программирование. 2009. Т. 10. С. 24-27.
  31. Можаев, А.В. Компьютерное моделирование процессов формирования микрокластеров на основе масштабной инвариантности случайных блужданий / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 5. С. 323-330.
  32. Мордвинцев, В. М. Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 174-182.
  33. Мордвинцев, В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 183-191.
  34. Наумов, В.В. Увеличение адгезии металлических пленок к кремнию с помощью ионной бомбардировки в процессе их роста / В.В.Наумов, В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // ЖТФ. 2009. Том 79. Вып. 7. С. 146-149.
  35. Наумов, В.В. Магнетосопротивление многослойных структур, полученных магнетронным методом / В.В.Наумов, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Том 38. № 5. С. 369-373.
  36. Наумов, В.В. Зависимость экваториального эффекта Керра от угла падения света для сверхтонких пленок кобальта и мультислоев Сo/Сu/Сo. / В.В.Наумов, В.А.Папорков, М.В. Лоханин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 4. С. 273-279.
  37. Gavrilenko, V.P. Measurement of dimentions of resist mask elements below 100 nm with help of a scanning electron microscope / V.P.Gavrilenko, V.A.Kalnov, Yu.A.Novikov, A.A.Orlikovsky, A.V.Rakov, P.A.Todua, K.A.Valiev, E.N.Zhikharev // Proc. SPIE. – 2009. – V.7272 (Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXIII, ed. вy John A.Allgair, Christopher J. Raymond). – P.727227.
  38. Валиев, К.А. НАНОЭЛЕКТРОНИКА, ч.1. Введение в наноэлектроннику / К.А.Валиев, В.В.Вьюрков, В.А.Гридчин, В.П.Драгунов, А.А.Кокин, И.Г.Неизвестный, А.А.Орликовский, Ю.С.Протасов, И.А.Семенихин; под ред.А.А.Орликовского . – М: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2009. – 720 с. – ISBN 978-5-7038-3392-6.
  39. Валиев, К.А. От микро- и наноэлектроники к твердотельным квантовым компьютерам / К.А.Валиев, А.А.Орликовский. – В кн.: Базовые лекции по электронике. Под ред. В.М.Пролейко. Том 2. Твердотельная электроника. Техносфера. М: 2009. – С.72-95.
  40. Вьюрков, В.В. Эволюция моделей транзистора: от классических к квантовым / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И.А.Семенихин, А.Н.Хомяков // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С.66-84.

Страницы: 1 2 3

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2008 год

Статьи:

  1. Амиров, И.И. Формирование микроструктур на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом траление/пассивация процессе / И.И.Амиров, Н. В. Алов // Химия высоких энергий. 2008. Т. 42. №2. С.164-168.
  2. Амиров, И.И. Механизм формирования микроигл на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом траление/осаждение процессе / И.И.Амиров, А. С. Шумилов // Химия высоких энергий. 2008. Т. 42. №5. С.446-450.
  3. Зимин, С.П. Формирование микро- и наноструктур на поверхности эпитаксиальных пленок A4В6 при обработке в аргоновой плазме / С.П.Зимин, Е.С.Горлачев, И. И.Амиров, М. Н. Герке // Микроэлектроника. 2008. Т.37. №2. С.200-212.
  4. Postnikov, A.V. Simulation, fabrication, and dynamics characteristics of electrostatically actuated switches / A.V.Postnikov, I. I.Amirov; V.V.Naumov, V.A.Kalnov // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025.
  5. Постников, А.В. Автоматизированный лазерный термометр для исследования плазменных процессов микротехнологии / А.В.Постников, И.Н.Косолапов, А.Н.Куприянов, И.И.Амиров, А.Н.Магунов // Приборы и техника эксперимента. 2008. №2. С.173-176.
  6. Bogdanov, Yu.I. Quantum theory with hidden variables and dynamic chaos / Yu.I.Bogdanov // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7023. – P.702303.
  7. Богданов, Ю.И. Исследование статистической природы неравенств Белла / Ю.И.Богданов // Микроэлектроника. 2008. Т.37. №5. С. 352- 369.
  8. Bogdanov, Yu.I. INVESTIGATION INTO THE STATISTICAL NATURE OF BELL’S INEQUALITIES // Russian Microelectronics. 2008. V. 37. № 5. P. 308-321.
  9. Богданов, А.Ю.Томографический метод моделирования квантовых систем / А.Ю.Богданов, Ю.И. Богданов, А.К. Гавриченко // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. – Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C. 23 – 46.
  10. Moreva, E. V. Optimal protocol for polarization ququart state tomography / E.V. Moreva, Yu I.Bogdanov, A.K.Gavrichenko, I.V.Tikhonov and S.P.Kulik // Applied Mathematics & Information Sciences 2009; LANL report quant-ph/0811.1927.
  11. Аверичкин, П.А. Структурные превращения винилсилсесквиоксанов в пленках при термообработке в различных газовых средах / П.А.Аверичкин, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев, С.Л.Шевчук, А.А.Шлёнский // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C.78-86.
  12. Брук, М.А. Свойства тонких пленок из политетрафторэтилена, нанесенных на твердые субстраты методом электронно-лучевой полимеризации из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов // Высокомолекулярные соединения. 2008. Т.50. N8. С.1566-1571.
  13. Bruk, M.A. PROPERTIES OF THIN POLY (TETRAFLUOROETHYLENE) FILMS DEPOSITED ON SOLID SUBSTRATES BY ELECTRON BEAM POLYMERIZATION FROM VAPOR PHASE / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, T E.N.eleshov, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’nov // Polymer Science. Series B. 2008. V. 50. № 7-8. P. 204-208.
  14. Брук, М.А. Прямое безрезистное нанесение изображения литографической маски электронно-лучевым осаждением из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Журнал физической химии. 2008. Т.82. N10. С.1943-1949.
  15. Брук, М.А. Нанесение маскирующего изображения методом электронно-лучевого осаждения из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Химия высоких энергий. 2008. Т.42. №2. С.134-142.
  16. Bruk, M.A. Mask image formation by electron beam deposition from vapor phase / M.A.Bruk, E.N.Zhikharev, S.L.Shevchuk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, V.A.Kalnov, Yu.P.Maishev // Proc. SPIE. – 2008. – V.7025. – P.702508.
  17. Брук, М.А. Некоторые закономерности безрезистного формирования маскирующего изображения методом электронно-лучевого осаждения из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Химия высоких энергий. 2008. Т.42. №5. С.407-412.
  18. Bruk, M.A. FORMATION OF MASKING PATTERN BY ELECTRON BEAM-INDUCED VAPOR DEPOSITION / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, S.L.Shevchuk, V.A.Kal’nov, Yu.P.Maishev // High Energy Chemistry. 2008. Т. 42. № 2. С. 105-112.
  19. Bruk, M.A. A NEW TYPE OF NANOSTRUCTURE IN SI/C COMPOSITE ELECTRODES FOR LITHIUM-ION BATTERIES / M.A.Bruk, A.V.Klochikhina, Yu.E.Roginskaya, V.A.Bespalov, B.A.Loginov, V.B.Loginov, N.A.Degtyarev, I.D.Zefirov, V.A.Kal’nov, T.L.Kulova, A.V.Skundin // Inorganic Materials. 2008. Т. 44. № 10. С. 1086-1090.
  20. Брук, М.А. НОВЫЙ ТИП НАНОСТРУКТУРЫ В SI/C-ЭЛЕКТРОДАХ ДЛЯ ЛИТИЙ-ИОННЫХ АККУМУЛЯТОРОВ / М.А.Брук, В.А.Беспалов, Б.А.Логинов, В.Б.Логинов, Н.А.Дегтярев, Н.А.Дегтярев, И.Д.Зефиров, В.А.Кальнов, А.В.Клочихина, Т.Л.Кулова, Ю.Е.Рогинская, А.М. Скундин // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 10. С. 1213-1217.
  21. Roginskaya, Yu.E. A NEW TYPE OF THE NANOSTRUCTURED COMPOSITE SI/C ELECTRODES / Yu.E.Roginskaya, T.L.Kulova, A.M.Skundin, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’Nov, V.B.Loginov, M.A.Bruk // Russian Journal of Electrochemistry. 2008. Т. 44. № 11. С. 1197-1203.
  22. Рогинская, Ю.Е. НОВЫЙ ТИП НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ КОМПОЗИТНЫХ SI/C ЭЛЕКТРОДОВ / Ю.Е.Рогинская, Т.Л.Кулова, А.М.Скундин, М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, В.А.Кальнов, В.Б.Логинов // Электрохимия. 2008. Т. 44. № 11. С. 1289-1296.
  23. Bruk, M.A. FEATURES OF RESIST-FREE FORMATION OF MASKING PATTERN BY ELECTRON BEAM-INDUCED VAPOR DEPOSITION / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, .L.Shevchuk, V.A.Kal’nov, Yu.P.Maishev // High Energy Chemistry. 2008. Т. 42. № 5. С. 360-365.
  24. Рогинская, Ю.Е. ВНЕДРЕНИЕ ЛИТИЯ В КРЕМНИЕВЫЕ ПЛЕНКИ, ПОЛУЧЕННЫЕ МАГНЕТРОННЫМ НАПЫЛЕНИЕМ / Ю.Е.Рогинская, Т.Л.Кулова, А.М.Скундин, М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, В.А.Кальнов // Электрохимия. 2008. Т. 44. № 9. С. 1069-1078.
  25. Roginskaya, Yu.E. THE STRUCTURE AND PROPERTIES OF A NEW TYPE OF NANOSTRUCTURED COMPOSITE SI/C ELECTRODES FOR LITHIUM ION ACCUMULATORS / Yu.E.Roginskaya, M.A.Bruk, A.V.Klochikhina, N.V.Kozlova, T.L.Kulova, A.M.Skundin, V.A.Kal’Nov, B.A. Loginov // Russian Journal of Physical Chemistry A. 2008. Т. 82. № 10. С. 1655-1662.
  26. Bruk, M.A. THE DIRECT RESIST-FREE DEPOSITION OF A LITHOGRAPHIC MASK FROM VAPOR INITIATED BY AN ELECTRON BEAM / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, S.L.Shevchuk, V.A.Kal’nov, Y.P.Maishev // Russian Journal of Physical Chemistry A. 2008. Т. 82. № 10. С. 1742-1747.
  27. Валиев, К.А. Поиск оптимальной маски в проекционной фотолитографии, как решение обратной задачи (теоретические исследования) / К.А.Валиев, А.А.Кокин // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – С.113-138.
  28. Vyurkov, V.V. All-quantum simulation of an ultra-small SOI MOSFET / V.V.Vyurkov, I.Semenikhin, V.Lukichev, A.Burenkov, A.Orlikovsky // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025. – P.70251K. ( ISSN: 0277-786X; ISBN: 978-0-8194-7238-0. doi: 10.1117/12.802532).
  29. Вьюрков, В.В. Квантовое моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И. А.Семенихин, А.Н.Хомяков // – В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C.195-216.
  30. Vyurkov, V.V. Effect of Coulomb scattering on graphene conductivity / V.V.Vyurkov, V.Ryzhii // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2008. V. 88. № 5. P. 322-325.
  31. Вьюрков, В.В. Международная конференция по микро-наноэлектронике (ICMNE-2007) / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, К.В.Руденко, А.А.Орликовский // Интеграл. 2008. – № 1. – С. 4-5.
  32. Ефремов, М.Д. Вариация края поглощения света в пленках SiNx с кластерами кремния / М.Д.Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Попов // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 2. С.202-207.
  33. Arzhannikova, S.A. Photoinduced variation of capacitance characteristics of MDS-structures with three-layer SiNx dielectrics / S.A.Arzhannikova,M.D. Efremov, V.A. Volodin, G.N. Kamaev, D.V. Marin, V.S. Shevchuk, S.A. Kochubei, A.A. Popov, Yu.A. Minakov // Solid State Phenomena. 2008. V.131-133. P. 461-466.
  34. Semenikhin, I. Effect of nonrelativistic interface Hamiltonian on optical transitions in broken-gap heterostructures / I.Semenikhin, A.Zakharova, K.A.Chao // Phys. Rev. B. 2008. V.77. 113307.
  35. Semenikhin, I. Intersubband optical transitions in InAs/GaSb broken-gap quantum wells / I.Semenikhin, A.Zakharova, K.Nilsson, K.A.Chao // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025. – P. 70250K.
  36. Zakharova, A. Optical absorption of polarized light in InAs/GaSb quantum wells / A.Zakharova, I.Semenikhin, K.A. Chao // Semiconductor Science and Technology. 2008. V. 23. № 12. P.5044.
  37. Kokin, A.A. An investigation of the antiferromagnet-based NMR quantum register in inhomogeneous magnetic field / A.A.Kokin, B.A.Kokin // Proc. SPIE. – 2008.- V. 7023. – P. 70230B.
  38. Костюченко, В.В. Обменные взаимодействия и спиновые состояния в магнитном молекулярном нанокластере V15. / В.В.Костюченко, М.В.Костюченко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2008. Т.134. N 4(10). С. 697–705.
  39. Kostyuchenko, V.V. Finite size effects in antiferromagnetic multilayers / V.V.Kostyuchenko // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025. – P. 70250T.
  40. Кудря, В.П. Процессы ионизации электронным ударом в плазме BF3 / В.П.Кудря // – В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C.170-184.

Страницы: 1 2 3 4

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2007 год

Статьи:

  1. Bachurin, V.I. Study of the interaction of argon and nitrogen ions with the silicon dioxide surface / V.I.Bachurin, S.A.Krivelevich, E.V.Potapov, A.B.Churilov // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2007. V1. No 2. P.136-140.
  2. Богданов, А.Ю. Информация Шмидта и запутанность квантовых систем / А.Ю.Богданов, Ю.И. Богданов, К.А. Валиев // Вестн. Моск. ун-та. Сер.15. Вычислительная математика и кибернетика. 2007. №1. C. 37-48.
  3. Богданов, А.Ю.Многочастичные запутанные квантовые состояния и моделирование статистических распределений термодинамики / А.Ю.Богданов, Ю.И. Богданов, К.А. Валиев // Оптика и спектроскопия. 2007. Т.103. №1. С. 36-43.
  4. Bogdanov, A.Yu. MULTIPARTICLE ENTANGLED QUANTUM STATES AND MODELING OF THERMODYNAMIC STATISTICAL DISTRIBUTIONS / A.Yu.Bogdanov, Yu.I.Bogdanov, K.A.Valiev // Optics and Spectroscopy. 2007. V. 103. № 1. PС. 31-38.
  5. Богданов, Ю.И. Математическое моделирование характеристик точности в задачах прецизионной квантовой томографии двухфотонных состояний / Ю.И.Богданов, Р.Ф. Галеев, С.П. Кулик, Е.В. Морева // Оптика и спектроскопия. 2007. Т.103. №1. С. 112-120.
  6. Bogdanov, Yu.I. MATHEMATICAL MODELING OF THE ACCURACY CHARACTERISTICS IN PROBLEMS OF PRECISION QUANTUM TOMOGRAPHY OF BIPHOTON STATES / Yu.I.Bogdanov, R.F.Galeev, S.P.Kulik, E.V.Moreva // Optics and Spectroscopy. 2007. V. 103. № 1. P. 107-115.
  7. Bogdanov, Yu.I. SIMULATION OF QUANTUM SYSTEMS BY THE TOMOGRAPHY MONTE CARLO METHOD / Yu.I.Bogdanov // Quantum Electronics. 2007. V. 37. № 12. P. 1091-1096.
  8. Богданов, Ю.И. Моделирование квантовых систем тографическим методом Монте-Карло / Ю.И.Богданов // Квантовая электроника. 2007. Т. 37. № 12. С. 1091-1096.
  9. Nilsson, K. Carrier transport in broken-gap heterostructures tuned by a magnetic field / K.Nilsson, A. Zakharova, I. Semenikhin and K. A. Chao // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. 205318.
  10. Vostrikova, E. Electrical excitation of shock and solitonlike waves in two-dimensional electron channels / E.Vostrikova, A. Ivanov, I. Semenikhin and V. Ryzhii // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. 035401.
  11. Мордвинцев, В.М. Исследование проводимости и электроформовки открытых «сэндвич»-структур Si-SiO2-W на высоколегированном кремнии / В.М.Мордвинцев, С.Е.Кудрявцев // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 6. С. 1-14.
  12. Овчаров, В.В. Влияние температурной зависимости коэффициента диффузии на эволюцию гауссова профиля в температурном поле / В.В.Овчаров, В.И.Рудаков // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 2. С. 142-149.
  13. Ozhigov, Yu.I. A COLLECTIVE BEHAVIOR METHOD IN SIMULATION OF MANY-BODY QUANTUM DYNAMICS / Yu.I.Ozhigov, A.Yu.Ozhigov // Optics and Spectroscopy. 2007. V. 103. № 1. P. 39-46.
  14. Orlikovsky, A. All-quantum simulation of ultrathin SOI MOSFET / A.Orlikovsky, V.Vyurkov, V.Lukichev, I.Semenikhin, A.Khomyakov // Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices. – Book Series: NATO Science for Peace and Security Series B – Physics and Biophysics. – 2007. – P.323-340; DOI: 10.1007/978-1-4020-6380-0_21.
  15. Орликовский, А.А. НАНОЭЛЕКТРОНИКА, КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ И ЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ В РОССИИ / А.А.Орликовский // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2007. № 5. С. 4-10.
  16. Александров, А.И. Квантово-химическое и магнито-резонансное исследование Zn-P комплекса в матрице Si. / А.И.Александров, С.Н.Добряков, В.В.Привезенцев // Микроэлектроника. 2007. Т.36, №.2. С.236.
  17. Aleksandrov, A.I. ZN-P COMPLEX IN SI: AN AB-INITIO CALCULATION OF THE STRUCTURE AND ELECTRON-SPIN PROPERTIES / A.I.Aleksandrov, S.N.Dobryakov, V.V.Privezentsev // Russian Microelectronics. 2007. V. 36. № 3. P. 203-207.
  18. Добряков, С.Н. К вопросу о природе векторного обменного взаимодействия в двухспиновой системе / С.Н.Добряков, В.В.Привезенцев // Прикладная физика. 2007. Т.36. Вып.5. С.5.
  19. Якимов, Е.Б. ИССЛЕДОВАНИЕ КРЕМНИЯ С ПРИМЕСЬЮ ЦИНКА МЕТОДОМ НАВЕДЕННОГО ТОКА В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ / Е.Б.Якимов, В.В. Привезенцев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007. № 4. С. 71-73.
  20. Головашкин, A.И. МОДЕЛИРОВАНИЕ СПЕКТРОВ ЯМР 31Р В БЕССПИНОВОЙ МАТРИЦЕ 28SI И ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО КВАНТОВОГО КОМПЬЮТЕРА / A.И.Головашкин, С.Н.Добряков, В.ВПривезенцев., А.М. Цховребов // Краткие сообщения по физике Физического института им. П.Н. Лебедева Российской Академии Наук. 2007. № 1. С. 3-12.

Страницы: 1 2 3 4

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2006 год

Статьи:

  1. Богданов, А.Ю. Анализ мод Шмидта и запутанности в квантовых системах с непрерывными переменными / А.Ю.Богданов, Ю.И. Богданов, К.А. Валиев // Микроэлектроника. 2006. Т.35. №1. С.11-30.
  2. Bogdanov, Yu.I. SCHMIDT MODES AND ENTANGLEMENT IN CONTINUOUS-VARIABLE QUANTUM SYSTEMS / Yu.I.Bogdanov, K.A.Valiev, A.Yu.Bogdanov // Russian Microelectronics. 2006. V. 35. № 1. P. 7-20.
  3. Bogdanov, Yu.I. Polarization states of four- dimensional systems based on biphotons / Yu.I.Bogdanov, E.V.Moreva, G.A.Maslennikov, R.F.Galeev, S.S.Straupe, S.P.Kulik // Phys. Rev. A. 2006. V.73. 063810. 13p.
  4. Bogdanov, Yu.I. Absolute Robustness of the First Principal Fourier State Component and Noise Suppression in Hilbert Space / Yu.I.Bogdanov, S.P. Kulik // Laser Physics. 2006. V.16. N 8. P.1264-1268.
  5. Bogdanov, A.Yu. Analysis of entanglement in quantum systems with continuous variables by means of Schmidt decomposition / A.Yu.Bogdanov, Yu.I. Bogdanov, K.A. Valiev // Proc. SPIE. – 2006. – V.6264. – Р.626404.
  6. Bogdanov, Yu.I. Quantum tomography of arbitrary spin states of particles: root approach / Yu.I.Bogdanov // Proc. SPIE. – 2006. – V.6264. – Р.626403.
  7. Bogdanov, Yu.I. Quantum Mechanical View of Mathematical Statistics / Yu.I.Bogdanov // Proc. SPIE. 2006. V.6264. 62640E. 15 p.
  8. Bogdanov, Yu.I. Root Estimator of Quantum States / Yu.I.Bogdanov // New Topics in Quantum Physics Research. Nova Science. 2006. Р. 129–162; arXiv:quant–ph/0303014.
  9. Bogdanov, Yu.I. Statistical Reconstruction of arbitrary spin states of particles: root approach / Yu.I.Bogdanov // ArXiv: report quant-ph/0509213
  10. Bogdanov, A.Yu. Schmidt information and entanglement in quantum systems / A.Yu.Bogdanov, Yu.I.Bogdanov, K.A. Valiev // ArXiv: report quant-ph/0512062
  11. Bogdanov, A.Yu. Entanglement of Quantum States, Thermodynamical Statistical Distributions and Physical Nature of Temperature / A.Yu.Bogdanov, Yu.I. Bogdanov, K.A. Valiev // ArXiv: report quant-ph/0605208. 2006. 11p.
  12. Bogdanov, A.Yu. Entanglement of quantum systems and informational measure based on Schmidt number / A.Yu.Bogdanov, Yu.I.Bogdanov, K.AValiev. // Quantum Computers and Computing. 2006. № 1. P. 25–42.
  13. Bruk, M.A. Controlled change of structure and properties of nanometer polymer layers deposited by electron beam polymerization from vapour phase / M.A.Bruk, A.V.Spirin, I.A.Volegova, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’nov, Yu.K.Godovsky // Proc.SPIE. – 2006. – V. 6260.- Р.62600J-1.
  14. Zakharova, А. Spin polarization of an electron-hole gas in InAs/GaSb quantum wells under a dc current / А.Zakharova, I. Lapushkin, K. Nilsson, S.T. Yen, K.A. Chao // Physical Review B. 2006. – V. 73. -125337.
  15. Nilsson, K. Cyclotron masses and g-factors of hybridized electron-hole states in InAs/GaSb quantum wells / K.Nilsson, K.A.Chao, A.Zakharova, I.Lapushkin, S.T.Yen // Physical Review B. 2006. V. 74. 075308.
  16. Kokin, A.A. The antiferromagnet-based nuclear spin quantum register in inhomogeneous magnetic field / A.A.Kokin // Proc. SPIE. – 2006. – V. 6224. – Р.6224·07-09. doi: 10.1117/12.683119
  17. Mozhaev, P.B. BI-EPITAXIAL YBA2CU3OX THIN FILMS ON TILTED-AXES NDGAO3 SUBSTRATES WITH CEO2SEEDING LAYER / P.B.Mozhaev, J.E.Mozhaeva, C.S.Jacobsen, J.B.Hansen, I.K.Bdikin, V.ALuzanov., I.M.Kotelyanskii, S.G.Zybtsev // Journal of Physics: Conference Series. 2006. V. 43. № 1. P. 1119-1122.
  18. Nurgaliev, T. YBCO/MANGANITE LAYERED STRUCTURES ON NDGAO3 SUBSTRATES / T.Nurgaliev, B.Blagoev, T.Donchev, SMiteva., P.B.Mozhaev, J.E.Mozhaeva, G.A.Ovsyannikov, I.M.Kotelyanskii, C.Jacobsen // Journal of Physics: Conference Series. 2006. V. 43. № 1. P. 329-332.
  19. Mozhaev, P.B. OUT-OF-PLANE TILTED JOSEPHSON JUNCTIONS OF BI-EPITAXIAL YBA 2CU3OX THIN FILMS ON TILTED-AXES NDGAO 3 SUBSTRATES WITH CEO2 SEEDING LAYER / P.B.Mozhaev, J.E.Mozhaeva, J.B.Hansen, C.S.Jacobsen, I.K.Bdikin, I.M.Kotelyanskii, V.A.Luzanov, S.G.Zybtsev // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2006. V. 435. № 1-2. P. 23-36.
  20. Mozhaev, P.B. OUT-OF-SUBSTRATE PLANE ORIENTATION CONTROL OF THIN YBA2CU 3OX FILMS ON NDGAO3 TILTED-AXES SUBSTRATES / P.B.Mozhaev, J.E.Mozhaeva, J.B.Hansen, C.S.Jacobsen, I.K.Bdikin, A.L.Kholkin, I.M.Kotelyanskii, V.A.Lusanov // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2006. V. 434. № 1. P. 105-114.
  21. Miakonkikh, A. MEASUREMENT OF POLYMERIZING FLUOROCARBON PLASMA PARAMETERS: DYNAMIC LANGMUIR PROBE TECHNIQUE APPLICATION / А.Miakonkikh, K.Rudenko // Proc. SPIE. – 2006. – V.6260. P.62600A. – doi:10.1117/12.677021.
  22. Ozhigov, Y. Algorithmic approach to quantum theory 1: Features of many particle quantum dynamics / Y.Ozhigov, I.Semenihin // Proc. SPIE. – 2006. – V. – 6264. – P.62640D.
  23. Semenihin, I. Algorithmic approach to quantum theory 2: Method of collective behavior and Monte-Carlo method / I. Semenihin and Y.Ozhigov // Proc. SPIE.- 2006. – V. 6264. – P.62640C. doi: 10.1117/12.683113.
  24. Burkov, A. Algorithmic approach to quantum theory 3: Bipartite entanglement dynamics in systems with random unitary transformations / A.Burkov, Yu.Ozhigov, A. Chernyavskiy // Proc. SPIE.- 2006. – 6264. – 62640B (Quantum Informatics 2005 (May 24, 2006). doi: 10.1117/12.683108.
  25. Ozhigov, Y.I. AMPLITUDE QUANTA IN MULTIPARTICLE-SYSTEM SIMULATION / Y.I.Ozhigov // Russian Microelectronics. 2006. V. 35. № 1. P. 53-65.

Страницы: 1 2 3

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2005 год

  1. К. А. Валиев. Квантовые компьютеры и квантовые вычисления // Успехи Физических Наук.
    2005. Т.175. №1. С.3-39
  2. A. A. Kokin. The controlled indirect coupling between spatially-separated qubits in antiferromagnet-based NMR quantum register. // Proceedings. of SPIE, 2005, vol 5833, pp. 157-164.
  3. Yu. I. Bogdanov et al. Preparation of arbitrary qutrit state based on biphotons// Proceedings of SPIE. 2005. V.5833. P.202-212.
  4. Ю. И. Богданов, Р. Ф. Галеев, С. П. Кулик и др. Восстановление поляризационных состояний бифотонного поля // Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 82. вып.3. С.180-184.
  5. Ю. И. Богданов. Многопараметрические статистические модели в задачах квантовой информатики //Труды ФТИАН. 2005. Т.18. С.91-120
  6. A. Yu. Bogdanov, Yu. I. Bogdanov, K. A. Valiev. Analysis of localized Schmidt decomposition modes and of entanglement in atomic and optical quantum systems with continuous variables // LANL report quant-ph/0507042. 2005. 20p.
  7. А. Ю. Богданов, Ю. И. Богданов, К. А. Валиев. Анализ мод Шмидта и запутанности в квантовых системах с непрерывными переменными //Микроэлектроника. 2006. т.35. №1. с.11-30.
  8. A. V. Tsukanov. Entanglement and quantum state engineering in the optically driven two-electron double-dot structure // Phys. Rev. A. 2005. V. 72. P. 022344-022352.
  9. A. V. Tsukanov, L. A. Openov. Selective electron transfer between the quantum dots under the resonant pulse // Proceedings of SPIE. 2005. V.5833. P.137-144.
  10. A. Burkov, A. Damir, Yu. Ozhigov. Development of the quantum state evolution model based on the “amplitude quanta” method // Proc. SPIE, 2005, Vol. 5833, p. 282-289
  11. Ю. И. Ожигов. Кванты амплитуд в моделировании многочастичных квантовых систем // Микроэлектроника, 2005 (принято к печати)
  12. К. А. Валиев, А. А. Кокин. Проблемы реализации полномасштабного квантового компьютера на ядерных спинах в кремниевой наноструктуре //Труды ФТИАН. 2005. Т.18. С.19-36
  13. А. В. Цуканов. Оптическое управление орбитальными и спиновыми состояниями электронов в квантовых точках //Труды ФТИАН. 2005. Т.18. С.37-48
  14. K. A. Valiev. Review of quantum informatics: results and perspectives// Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O1.
  15. Yu. I. Bogdanov, R. F. Galeev et al. Statistical Reconstruction of Biphoton Polarization States// Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O11
  16. Y. I. Ozhigov, I. N. Semenihin, A. S. Burkov, A. V. Damir. Monte-Carlo and Hartree- Fock methods in the simulation of one and two particle quantum dynamics // Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O13.
  17. Yu. I. Bogdanov. Quantum tomography of arbitrary spin states of particles: root approach// Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O18.
  18. A. A. Kokin. The antiferromagnet-based nuclear spin quantum register in inhomogeneous magnetic field. // Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p.O17.
  19. A. Yu. Bogdanov, Yu. I. Bogdanov, K. A. Valiev. Analysis of localized Schmidt decomposition modes and of entanglement in atomic and optical quantum systems with continuous variables // Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O24.
  20. A. Tsukanov // Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p.O29.
  21. V. Vyurkov, I. Semenikhin, L. Fedichkin and A. Khomyakov. Effect of image forces on a charge qubit operation// Intern. Symp. “Quantum Informatics-2005”, Moscow – Zvenigorod, October 3- 7th, 2005, Progr. and abstr. p. O28.

Страницы: 1 2 3

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2004 год

  1. А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, П. Г. Медведев, В. И. Пустовойт. О предельной разрешающей способности аподизированных дифракционных фильтров. Микросистемная техника, 2004, N3, с.17-20;
  2. А. М. Афанасьев, В. И. Пустовойт, Ю. В. Гуляев. Деструктивная макроинтерференция как метод повышения спектрального разрешения дифракционных фильтров. Радиотехника и электроника, 2004 (в печати).
  3. K. A. Valiev, А. А. Kokin. Ensamble silicon-based NMR quantum computers, c.203-223. В книге «Актуальные проблемы физики конденсированных сред. Казань, ЗАО «Новое знание», 2004.
  4. A. A. Kokin. The controlled interaction between separated qubits in NMR quantum register. Proc. of SPIE, 5833 (in press), e-print cond-mat/0411083.
  5. А. А. Кокин. Твердотельные квантовые компьютеры на ядерных спинах. -Москва-Ижевск, ИКК, 2004,204 стр. Монография;
  6. В. В. Ивин, Т. М. Махвиладзе, К. А. Валиев. “Теоретическое рассмотрение вопросов выбора оптимальной формы источника в оптической нанолитографии”. Микроэлектроника, 2004, т.33, N3, с.163-174.
  7. В. В. Ивин, Т. М. Махвиладзе, К. А. Валиев. “Анализ практических применений внеосевых источников в оптической нанолитографии”. Микроэлектроника, 2004, т.33, N4,. с.259-272.
  8. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ- разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №2003104228 от 12.02.2003. Положительное решение ФИПС.
  9. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №20031142716 от 06.05.2003. Положительное решение ФИПС.
  10. M. A. Chuev, A. M. Afanas’ev, R. M. Imamov, E. Kh. Mukhamedzhanov, E. M. Pashaev, S. N. Yakunin. Structural diagnostics of quantum layers by x-ray diffraction and standing waves. Proc. SPIE 5401 (2004) 543-554.
  11. A. A. Lomov, M. A. Chuev, G. B. Galiev. Structural characterization of undoped and Si-doped AlGaAs/GaAs double quantum wells separated by a thin AlAs layer. Proc. SPIE 5401 (2004) 590-596.
  12. А. А. Ломов, М. А. Чуев, Г. В. Ганин. Параметры многослойной гетероструктуры по результатам совместного анализа кривых дифракционного отражения от разных кристаллографических плоскостей. Письма в ЖТФ, 2004, т.30, вып.10, с.89-95.
  13. K. V. Rudenko, A. V. Fadeev, A. A. Orlikovsky, K. A. Valiev. Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. Proc. of SPIE, v. 5401, p.79-85 (2004).
  14. I. A. Horin, A. A. Orlikovsky, A. G. Vasiliev, A. L. Vasiliev. Phases transaormation in Ti(Ta) – Ni(Co) – Si – N systems/ Micro- and Nanoelectronics 2003, edited by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky, Proceeding of SPIE Vol. 5401 (SPIE, Bellinghan, WA, 2004), P. 110-118.
  15. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Эволюция структуры Со-N/Ti/Si(100) в процессе реактивного магнетронного распыления кобальта на нагретую Ti/Si(100) подложку// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 1, С. 1-6.
  16. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Влияние азота на процессы фазового расслоения в системах Ti-Co-N/CoSix/Si(100) и Ti-Co-Si-N/CoSix/Si(100)// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 3, С. 147-151.
  17. И. А. Семенихин. Влияние атомного разупорядочения на критическую температуру сверхпроводников с анизотропным параметром порядка. // Научная сессия МИФИ-2004. Сборник научных трудов. 2004, т. 4., стр. 120-121.
  18. И. А. Семенихин. Влияние атомного разупорядочения на критическую температуру изотропных сверхпроводников с малой длиной когерентности. // Научная сессия МИФИ-2004. Сборник научных трудов. 2004, т. 4., стр. 122-123.
  19. И. А. Семенихин. Влияние разупорядочения на критическую температуру d – волновых сверхпроводников с малой длиной когерентности. //ФТТ, 2004, т. 46, вып. 10, стр.1729-1734.
  20. А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. Применение метода Монте-Карло для моделирования кремниевых полевых нанотранзисторов. Микроэлектроника, 2004, Т. 33. №.4 С. 243-255.
  21. А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский, В. А. Федирко. Учет квантовых эффектов при моделировании кремниевых полевых нанотранзисторов. Сб. Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем. Из-во МГТУ «Станкин»- ИММ РАН, Москва, 2004, вып. 7, с.123-138.
  22. V. V. Vyurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Single Electron Spin Measured with a Quantum Wire.Int. Symposium “Quantum Informatics’2004”, Moscow, Oct. 5th-8th, 2004, Book of Abstracts, P.5-2.
  23. С. Д. Ананьев, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. К вопросу о влиянии шероховатости поверхности на проводимость тонких пленок. Микроэлектроника, 2004, Т. 33, № 3, С. 198-203.
  24. S. D. Ananiev, V. V. V’yurkov, and A. A. Orlikovsky. Surface scattering in thin films: wave guide strategy. Proc. SPIE, 2004, v. 5401, pp. 488-497.
  25. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Окшин. Патент РФ на изобретение №2237947 «Способ изготовления полупроводникового прибора с управляющим электродом нанометровой длины».
  26. I. Lapushkin, A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. A self-consistent investigation of the semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells under external electric fields. J. Phys.: Condens. Matter, 2004, v. 16, p. 4677-4684.
  27. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Landau-level structures and semimetal-semiconductor transition in strained InAs/GaSb quantum wells. Phys. Rev. B, 2004, v. 66, 115319.
  28. A. Zakharova, I. Lapushkin, S. T. Yen, K. Nilsson, K. A. Chao. Electronic structures and transport properties of broken-gap heterostructures. Recent Res. Devel. Sci. Tech. Semiconductors, 2004, v.2, p.37-72, ISBN 81-7895-137-1.
  29. Р. В. Гольдштейн, М. Е. Сарычев. “Влияние дефектов решетки на поверхностное натяжение границы раздела материалов”. Поверхность, 2004, N8, с.93-97.
  30. S. V. Vassiliev, S. B. Kravtsov, T. T. Basiev, V. A. Sychugov, R. R. Gerke, T. G. Dubrovina, I. U. Usypov, S. L. Shevchuk, Y. P. Maishev. Efficient dielectric diffraction gratings: novel approaches to scaling-up the output of narrowband lasers, Laser Physics, Vol. 14, No.12, 2004, pp. 1-9.
  31. С. Н. Добряков, В. В. Привезенцев. «Моделирование равновесных спектров ЭПР структуры 31P-28Si- -28Si-31P для квантового компьютера», VI Всеросс. Симп. по прикл. и пром. матем., ОП и ПМ, 10, с.115, Кисловодск, 2004.
  32. S. N. Dobryakov, V. V. Privezentsev. “Computer spectra magnetic resonance of a phosphorum 31P atoms quantum pair, placed in spin-free medium of a silicon 28Si isotope”, Abstr. of the II Conf. on Quant. Inform., Moscow – Zvenigorod, 2004.

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2003 год

  1. A. A. Kokin. Decoherence of Quantum States and Its Suppression in Ensemble Large-Scale Solid State NMR Quantum Computers. // Proceeding, of SPIE 2003., N. 5128,p.l82-189.
  2. A. A. Kokin, K. A. Valiev. Some Prospects for Ensemble Solid-State NMR Quantum Computers // E-print LANL, 2003, arXiv:quant-ph/0306005.
  3. А. V. Tsukanov, A. A. Larionov, K. A. Valiev. Resonant – tunnelling solid state NMR quantum computer. // Proc. of SPIE, 2003, 5128, 131.
  4. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, В. А. Кальнов. Нанесение тонких полимерных пленок на подложки различной природы методом полимеризации мономеров из паровой фазы под действием электронного луча. «Высокомолек.соед.» Серия А. 2003. Т.45. №1. С.45-53.
  5. И. А. Волегова, М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, Н. В. Козлова, Ю. К. Годовский. Морфология тонких слоев политетрафторэтилена, формирующихся на твердой подложке при полимеризации из газовой фазы под действием электронного луча. «Высокомолек.соед». Серия А. 2003. Т.45. №3. С.390-400.
  6. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, В. А. Кальнов, И. А. Волегова, А. И. Бузин. Осаждение тонких полимерных пленок путем полимеризации мономеров из газовой фазы под действием электронного луча.Доклад на 15-м Международном симпозиуме «Тонкие пленки в оптике и электронике». Украина. Харьков. Апрель 2003 г.
  7. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, И. А. Волегова, А. И. Бузин, В. А. Кальнов. Нанесение изображения на основе тонких полимерных пленок на твердые субстраты путем полимеризации из газовой фазы под действием остросфокусированного электронного луча. Тезисы докладов X Всероссийской конференции “Структура и динамика молекулярных систем”. Казань-Москва-Йошкар-Ола-Уфа. Июнь-июль 2003 г. Стр.147.
  8. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, В. А. Кальнов, И. А. Волегова, А. И. Бузин. Осаждение тонких полимерных пленок путем полимеризации мономеров из газовой фазы под действием электронного луча.Статья в рецензированном сборнике X Всероссийской конференции “Структура и динамика молекулярных систем”. Яльчик – 2003 г.
  9. M. A. Bruk, E. N. Zhikharev, E. I. Grigoriev, A. V. Spirin, V. A. Kalnov and I. E. Kardash. Electron Beam Induced Deposition of Iron Carbon Nanostructures from Iron Dodecacarbonyl Vapour. Тезисы докладов Международной конференции “Микро- и наноэлектроника – 2003”. Звенигород. Октябрь 2003 г. Р1-39.
  10. M. A. Bruk, E. N. Zhikharev, E. I. Grigoriev, A. V. Spirin, V. A. Kalnov and I. E. Kardash. Electron Beam Induced Deposition of Iron Carbon Nanostructures from Iron Dodecacarbonyl Vapour. Статья в сборнике трудов международной конференции «Микро- и наноэлектроника – 2003». (в печати).
  11. М. А. Брук, И. А. Волегова, А. И. Бузин, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, Ю. К. Годовский. Влияние плотности тока на структуру и свойства тонких полимерных пленок, наносимых путем электроннолучевого осаждения из паров тетрафторэтилена. Тезисы доклада на III Всероссийской Каргинской конференции «Полимеры-2004» Москва. Январь 2004. (в печати)
  12. Y. P. Maishev, S. L. Shevchuk. Reactive ion-beam synthesis of thin films. Proceedings of IV International Conference “Plasma physics and plasma technology”, V.2, Minsk, 2003, pp.483-486.
  13. К. А. Валиев, Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Реактивный ионно-лучевой синтез тонких пленок непосредственно из пучков ионов. Физическая инженерия поверхности, Т.1, №1, 2003, с.27-33.
  14. Y. P. Maishev, S. L. Shevchuk. Investigation of influence of low energy ion beam parameters on Reactive Ion Beam Synthesis (RIBS) of thin films. Proceedings of International Conference “Micro-Nanoelectronica 2003”, Zvenigorod, in Proceedings of SPEI (in publication).

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2002 год

  1. А. Н. Аверкин, А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора для создания ультрамелких P+-N переходов в кремнии. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 360 – 362.
  2. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. В. Фадеев. Особенности имплантации бора в кремний из плазмы BF3 в иммерсионном режиме. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
  3. А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Параметры плазмы BF3 в установке плазменно-иммерсионного имплантера. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 426 – 427.
  4. С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Зондовая диагностика плазмы ВЧ- и СВЧ- источников в иммерсионном ионном имплантере. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
  5. К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Н. И. Базаев. Возможности синхронного детектирования эмиссионного сигнала плазмы при мониторинге травления структур SiO2/Si . Микроэлектроника, 2003 (в печати).
  6. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Ю. Ф. Семин. Способ определения момента окончания плазмохимического травления структур SiO2/Si и poly Si/SiO2/Si с малой площадью окон травления. Заявка на изобретение (находится в стадии оформления).
  7. А. А. Орликовский. Технологические проблемы создания кремниевых нанотранзисторов. Материалы Всероссийской конференции «Кремний-2002», Новосибирск, 2002 (приглашенный доклад).
  8. К. А. Валиев, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Орликовский, Ю. Ф. Семин. Патент РФ №2192069.
  9. V. V’yurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Measurement of a single electron spin in a solid state quantum computer. Abstracts of the International Scientific Symposium “Quantum Informatics-2002”, Zvenigorod, 1-4 October 2002,O7.
  10. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, Ю. А. Максимов. Кремнийсодержащие углеродные пленки, полученные методом реактивного ионно-лучевого синтеза. Труды ХIII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, 2002г.
  11. С. Л. Шевчук. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок», ФТИАН, Москва, 2002г.
  12. С. Л. Шевчук. Доклад «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
  13. Ю. П. Маишев. Доклад «Ионные источники и ионно-лучевая обработка». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
  14. M. A. Chuev, O. Hupe, A. M. Afanas’ev, H. Bremers, J. Hesse. Alternative approach for evaluation of Mossbauer spectra of nanostructured ferromagnetic alloys within generalized two-level relaxation model. Письма в ЖЭТФ, 2002, т.76, N9-10, с.656-660.
  15. А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев, П. Г. Медведев. Линии Косселя как новый тип источника рентгеновского излучения. ЖЭТФ, 2002, т.122, N9, с.549-558;
  16. М. А. Чуев, А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, П. Г. Медведев. Аномальное усиление интенсивности линии Косселя для предельно асимметричной схемы дифракции. Поверхность, 2002, N7, с.76-80.
  17. А. М. Афанасьев, А. П. Болтаев, Р. М. Имамов, Э. Х. Мухамеджанов, М. М. Рзаев, М. А. Чуев. Характеристики квантовой ямы Si1-xGex/Si по данным рентгенодифракционного анализа. Микроэлектроника, 2002, , т.31, N1, с.3-8.
  18. А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, А. А. Ломов, В. Г. Мокеров, М. А. Чуев, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия псевдоморфной гетероструктуры с напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs разной толщины. Кристаллография, 2002, в печати.
  19. А. М. Афанасьев, А. В. Зозуля, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев. О фазовой проблеме в трехволновой рентгеновской дифракции. Письма в ЖЭТФ, 2002, т.75, N7, с.379-384.
  20. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Strain-induced semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb broken-gap quantum wells. Phys. Rev. B, 2002, v. 64, 085312;
  21. A. Zakharova, K. A. Chao. Influence of band state mixing on interband magnetotunnelling in broken-gap heterostructures. J. Phys.: Condens. Matter, 2002, v. 14, p. 5003-5016;
  22. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Quantum computer on InAs/GaSb heterostructures. Proceedings of SPIE, in press.
  23. К. П. Новоселов. Теоретическое изучение процесса химического осаждения нитрида кремния из смеси дихлоросилана и аммиака. “Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III”, Труды ФТИАН, т.17, с.54-81, 2001.
  24. А. А. Багатурьянц, А. Х. Минушев, А. С. Владимиров, К. П. Новоселов, А. А. Сафонов. “Теоретическое изучение механизма и кинетики газофазных реакций всмеси дихлоросилана и аммиака”. Физико-технологический институт РАН, препринт №24, М.: 2000.
  25. А. А. Багатурьянц, К. П. Новоселов, А. А. Сафонов. “Теоретическое исследование структуры нитрида кремния и механизма некоторых поверхностных реакций”. Физико-технологический институт РАН, препринт №25, М.: 2000.