admin-ftian (Page 2)

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические  возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения  вертикальных ступенек при травлении через маску; отсутствие ухода размеров элементов; возможность формирования пучков ионов как инертных, так и химически  активных газов; возможность управления энергией ионов в широких пределах; высокая однородность и воспроизводимость обработки; разрешающая  способность, нм…< 20 (при травлении через  резистивную маску с аспектным отношением 50:1); селективность травления, например, SiO2:Si 20:1.

Маишев Ю.П., Терентьев Ю.П., Шевчук С.Л. Источники ионов и ионно-лучевые технологии нанесения и травления пленочных структур для микро- и наноэлектроники. (Часть 1). «Интеграл», №5 (49). 2009. С. 10 – 12.

Маишев Ю.П., Терентьев Ю.П., Шевчук С.Л. Источники ионов и ионно-лучевые технологии нанесения и травления пленочных структур для микро- и наноэлектроники. (Часть 2). «Интеграл», №6 (50). 2009. С. 18 – 19.

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства и программное обеспечение, предназначенные для применений при разработке новых технологий для мониторинга параметров технологических процессов и контроля состояния камеры реактора, а также в качестве детекторов окончания процессов.

 

Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники
Автоматизированное устройство мониторинга роста тонких диэлектрических пленок на основе спектрального эллипсометра (Фрязинский филиал ИРЭ РАН – ФТИАН), встроенного в установку плазмохимического осаждения.

 

К.В. Руденко, Я.Н. Суханов, А.А. Орликовский. Диагностика insitu и управление плазменными процессами в микроэлектронной технологии.// В кн. «Энциклопедия низкотемпературной плазмы», Под ред. Ю.А. Лебедева, Н.А. Платэ, В.Е. Фортова, М.,”Наука”, т. XII-5 (2006).

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

На основе разработанных методов и средств диагностики in situ плазменных технологических процессов развиты методы контроля параметров анизотропного травления и плазмостимулированного осаждения, которые позволяют обеспечить надежность плазменных технологических процессов при создании микро- и наноструктур.

К.В. Руденко, А.В. Мяконьких, А.А. Орликовский. Мониторинг плазмохимического травления структур polySi/SiO2/Si: зонд Ленгмюра и оптическая эмиссионная спектроскопия. // Микроэлектроника, т.36, № 3, с. 206 – 221. (2007).

K.В. Руденко. Диагностика плазменных процессов в микро- и наноэлектронике.// Химия высоких энергий, т. 42, № 3, стр. 242-249 (2009).

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Разработан источник быстрых атомарных и молекулярных нейтральных частиц. Источник работает с инертными и химически активными газами; степень нейтральности формируемых пучков – до 100 %, диапазон энергии частиц – (100 -1500) эВ; отсутствует накопление объёмного заряда в диэлектрическом материале, приводящего к появлению дефектов в режимах осаждения или травления слоёв;отсутствует накопление поверхностного заряда в диэлектрическом материале, приводящего к искажению траекторий частиц кулоновским полем вблизи краёв топологических элементов ИС и невоспроизводимому влиянию на процесс осаждения или травления слоёв.

Источник быстрых нейтральных частиц с ленточным пучком
Источник быстрых нейтральных частиц с ленточным пучком

Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Матвеев Т.Н. Физические принципы формирования пучков быстрых атомов резонансной перезарядкой пучков ионов // Квантовые компьютеры, микро-  и наноэлектроника: физика, технология, диагностика  и моделирование/Отв. ред. В.Ф. Лукичев. М.: Наука. 2008.  (Труды ФТИАН; Т. 19, С. 69 – 77).

Патент Российской Федерации №2 395133 С1 от 10.03.2009  «Источник быстрых нейтральных частиц».

Патент Российской Федерации №2 468 465 С2 от 27.12.2010  «Источник быстрых нейтральных частиц».

24 января, 2022. Научного сотрудника ФТИАН им. К.А. Валиева РАН Алексея Мельникова пригласили выступить с онлайн-докладом в Калифорнийском технологическом институте.
Тема доклада: Reinforcement learning for designing quantum protocols
Приглашаем желающих присоединиться к обсуждению в формате онлайн-конференции Zoom.
Ссылка для подключения: https://caltech.zoom.us/j/93304584361.
Meeting ID: 933 0458 4361 .
Дата и время доклада: Monday, January 24, 2022; 12:30pm to 1:30pm (Pacific Time).
Детали по ссылке: https://www.theory.caltech.edu/calendar/inqnet-seminar-12.

15:00
М. М. Яшин (РТУ МИРЭА)
Оптические свойства фотонных кристаллов и магнитооптические методы исследования наноструктур и элементов электроники
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

16:00 А. Ю. Кирьянов (РТУ МИРЭА)
Методика испытаний твердотельных СВЧ модулей применяемых в радиолокационных станциях с учетом отказов возникающих в начальный период эксплуатации
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)

13 января, 2022. Поздравляем сотрудников ФТИАН – победителей конкурса 2022 – 2024 года на право получения стипендии Президента РФ молодым учёным и аспирантам – Мельникова Алексея Андреевича и Сидорова Фёдора Алексеевича!
   
Победители конкурса 2022-2024 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам

Патент на изобретение RU 2717157 C2

«Способ изготовления туннельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки»

Авторы:  Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 07 июня 2018 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.03.2020