Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Дисс. совет | Конкурсы | Разработки | Издания и публикации | Семинары | Контакты


Следите за обновлениями на сайтах www.ftian.ru, www.icmne.ftian.ru, qi.cs.msu.su.

 Последние новости

15.08.2017
   Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности научного сотрудника по специальности моделирование магнитной динамики наномагнетиков.
   Конкурс будет проводиться 26 сентября 2017 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН РАН.
   Дата окончания приема заявок 12.00 12.09.2017 г.
   
   Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15
   

19.06.2017
   В соответствии с приказом №446 п/о Федерального агентства научных организаций (ФАНО) от 26 мая 2017 года директором Физико-технологического института с 26 мая 2017 года назначен член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук Владимир Фёдорович Лукичёв.

25.05.2017
   В целях исполнения постановления Правительства Российской Федерации от 08.04.2009 № 312 и письма ФАНО России от 04.05.2017 № 007-18.2-11/МК-138 ФТИАН РАН публикует сведения о результатах деятельности Института для экспертной оценки за период 2013-2015 гг.

25.04.2017
    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:
   - заместителя директора по научной работе;
   - старшего научного сотрудника по специальности квантовая оптика и квантовая информатика;
   - младшего научного сотрудника по специальности квантовая информатика.
   Конкурс будет проводиться 27 июня 2017 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН РАН.
   Дата окончания приема заявок 15.06.2017 г.
   
   Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15
   

10.04.2017
   12 апреля 2017 г. в зале заседаний ФТИАН РАН (ком.601) с 12-00 до 16-00 состоятся выборы директора (руководителя) Института. Избирателями являются все сотрудники ФТИАН РАН имеющие с Институтом трудовой договор.
   13 апреля 2017 г. в зале заседаний ФТИАН РАН (ком.601) в 12-00 состоится общее собрание коллектива ФТИАН РАН по утверждению протокола избирательной комиссии по выборам директора (руководителя) ФТИАН РАН.

27.03.2017
   Выборы директора ФТИАН РАН:
   Распоряжение ФАНО России
   Положение о выборах руководителя ФТИАН РАН
   

26.01.2017
   Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:
   - главного научного сотрудника по специальности рентгеновская диагностика многослойных полупроводниковых структур со слоями нанометрового размера;
   
   - главного научного сотрудника по специальности математическое моделирование физико-технологических процессов микро- и наноэлектроники;
   
   - главного научного сотрудника по специальности квантовые компьютеры и квантовые методы обработки информации;
   
   - главного научного сотрудника по специальности теоретические и экспериментальные работы по совершенствованию источника быстрых нейтральных частиц для развития технологии травления и осаждения тонких пленок для изделий наноэлектроники;
   
   - ведущего научного сотрудника по специальности квантовая информатика;
   
   - младшего научного сотрудника по специальности квантовая информатика.
   
   Конкурс будет проводиться 22 марта 2017 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН РАН.
   Дата окончания приема заявок 20.03.2017 г.
   
   Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15
   


Архив новостей
 Полезные ссылки

25 лет ФТИАН 25 лет ФТИАН
Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова
Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН
 
Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур»

Все ссылки

 Голосование

Каким броузером вы пользуетесь?
Internet explorer
Firefox
Opera
Maxthon (myIE)
Другим


Всего голосов:1200

Посмотреть результаты




   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав.лабораторией физики квантовых компьютеров.
Валиев Камиль Ахметович    Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. В 2006 году был удостоен Государственной премии РФ. Среди учеников К. А. Валиева — академики, члены-корреспонденты РАН, доктора наук,руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

    28 июля 2010 года К.А.Валиев умер после тяжелой и продолжительной болезни. Память о нём навсегда сохранится в сердцах всех, кто с ним работал, дружил и встречался в жизни.

Орликовский Александр Александрович     Директором ФТИАН в 2005 году избран Орликовский А. А.
   Орликовский Александр Александрович, 1938 года рождения, выпусник Московского инженерно-физического института (1961), доктор технических наук (1982), профессор (1984), в 2000 г. избран членом-корреспондентом, а в 2006 г. академиком РАН, является автором и соавтором свыше 300 научных трудов, в том числе 2 монографий. В Академии наук работает с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
   В период с 1963 по 1980 г.г. внес большой вклад в разработку физических и схемотехнических проблем полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области.
   Орликовский А.А - один из основоположников научных исследований в области физических основ технологии кремниевой микро- и наноэлектроники. В этой области созданы основы новых технологий металлизации, плазменных процессов травления, осаждения и имплантации, методы мониторинга плазменных процессов, высокочувствительные детекторы момента окончания процессов, томограф низкотемпературной плазмы, оригинальные конструкции широкоапертурных источников плотной плазмы и автоматизированные плазменные установки.
   Последние годы А. А. Орликовский работает также над созданием технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.
   Орликовский А.А.является заведующим базовых кафедр в МФТИ и Ярославском госуниверситете (ЯрГУ) им. П.Г. Демидова, научным руководителем ЦКП «Диагностика микро- и наноструктур» (ЯрГУ им. П.Г.Демидова и ФТИАН), главным редактором журнала «Микроэлектроника», председателем оргкомитета регулярной Международной конференции «Микро- и наноэлектроника» (ICMNE), членом бюро ОНИТ РАН, членом двух Научных советов РАН, двух советов по защитам диссертаций, членом Экспертного Совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности при Комитете Государственной Думы РФ по образованию, членом Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук, членом Азиатско-тихоокеанской академии наук о материалах. Является лауреатом премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С.А. Лебедева РАН. Награжден медалью 850-летия г. Москвы и орденом Дружбы.

   Академик А. А. Орликовский ушел из жизни 1 мая 2016 года. Память о нем навсегда останется в сердцах коллег, друзей и знакомых.

 

Лукичев Владимир Федорович    В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
   Родился 12 ноября 1954 года, в 1978 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.
   В институте работает со дня его основания, с апреля 2005 года – в должности заместителя директора по научной работе. Автор более 70 научных публикаций, ответственный секретарь журнала «Микроэлектроника».

 

Кальнов Владимир Александрович    Кальнов Владимир Александрович, ученый секретарь института, родился в г. Москве 13 мая 1944 года. В 1969 году окончил Московский энергетический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». С 1969 года по 1991 работал в НИИ «Сапфир». В 1989 году защитил кандидатскую диссертацию по проблеме ионно-лучевого травления в промышленной технологии создания функциональных элементов СБИС ЗУ ЦМД.
   С 1991 года и по настоящее время Кальнов В. А. работает в Физико-технологическом институте РАН на должности старшего научного сотрудника, в 1998 году избран ученым секретарем ФТИАН.
   Научные интересы Кальнова В. А. связаны с исследованиями в технологии микроэлектроники ВУФ излучения, в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем с полной диэлектрической изоляцией на основе кремниевых мембран, в прецизионной технологии осаждения тонких пленок для рентгеновских зеркал, в технологии микромеханики, в частности, для создания подвижных дифракционных решеток для малогабаритных акселерометров и спектрометров.
   Является автором более 80 научных работ и ряда изобретений. Является ученым секретарем секции «Информационные технологии и вычислительные системы» по присуждению премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники.

 

Скалкин Сергей Иванович    Скалкин Сергей Иванович, заместитель директора по общим вопросам, родился 17 марта 1951 года, в 1980 году окончил ВТУЗ при Московском автомобильном заводе им. И. А. Лихачева по специальности «Двигатели внутреннего сгорания». В Физико-технологическом институте работает с 2004 г., представляет интересы института в органах государственной власти и коммерческих структурах по вопросам финансово-хозяйственной деятельности и управления имуществом. Курирует деятельность отделов: материально-технического снабжения, эксплуатационно-технического, производственно-транспортного.




Институт ведет исследования как фундаментального, так и прикладного характера.

Среди фундаментальных проблем:

  • физика и элементная база квантовых компьютеров;
  • физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
  • рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
  • исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
  • исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
  • научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
  • модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.
Среди прикладных задач:
  • разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
  • разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
  • разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
  • разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
  • разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
  • разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
  • разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;
   В составе Института работают один академик, два члена-корреспондента РАН, 12 докторов и 22 кандидатов наук. Общая численность сотрудников института 192 чел.

Структура института

В составе института работают следующие подразделения:

  • Ярославский филиал ФТИАН;
  • Лаборатория физики квантовых компьютеров (д.ф.-м.наук Ю. И. Богданов);
  • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
  • Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
  • Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (д.ф.-м.наук М. А. Чуев);
  • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
  • Лаборатория архитектуры высокопроизводительных вычислительных систем (зав. Цуканов А.В., к.ф.-м.н., науч. рук. - Митропольский Ю.И., д.т.н., член-корр. РАН)
  • Лаборатория технологии микро- и наносистем (зав. Лукичев В.Ф., д.ф.-м.н., член-корр. РАН)
  • Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
При институте работают:
  • базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик А. А. Орликовский;
  • базовая кафедра квантовой информатики и вычислительных систем Московского физико-технического института, зав. кафедрой Митропольский Ю.И., д.т.н., член-корр. РАН
  • базовая кафедра нанотехнологий в электронике и Научно-образовательный центр (НОЦ) «Демидовский центр нанотехнологий и инноваций» Ярославского Госуниверситета им. П.Г. Демидова при Ярославском филиале ФТИАН;
  • НОЦ ФТИАН-МИФИ «Квантовые информационные технологии и нанотехнологии»;
  • аспирантура;
  • специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);
  • Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» ЯфФТИАН- ЯрГУ.
                              В рамках программы «Интеграция» ФТИАН сотрудничает с Московским инженерно-физическим институтом, Московским институтом электронной техники (ТУ), Московским государственным университетом им. М. В. Ломоносова.

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»

Библиотека ФТИАН
Библиотека ФТИАН


 14.12.2017 - 14:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

А.В. Цуканов
(ФТИАН)

Полупроводниковые квантовые точки с оптическим и электрическим управлением в квантовых вычислениях
(Защита диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук)


Л.В. Белинский
(МИЭТ)

Разработка методов и алгоритмов высокоточной томографии квантовых состояний
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 05.12.2017 - 14:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов
(ООО "Квантовый кремний" г. Ярославль)

Полевые транзисторы с наноструктурированным каналом

 28.11.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

К.С. Гришаков
(Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ)

Статические и динамические характеристики резонансно-туннельных диодов в когерентной модели
(по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 16.11.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

О. Г. Сосунов
(Новосибирский завод полупроводниковых приборов)

Ячейка электрида как элемент квантового компьютера.

 09.11.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

К. Г. Катамадзе
(ФТИАН, МГУ)

Исследование квадратурных распределений квазитепловых состояний света с отщеплением заданного числа фотонов

 31.10.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Трунькин И.Н.
(НИЦ Курчатовский институт)

Определение атомной структуры гетеросистем на основе A3B5 комплексом методов электронной микроскопии
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)


С. Зайцев, Я Шабельникова
( ИПТМ РАН)

Ионная стерео-литография с суб-10нм разрешением

 03.10.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

О. А. Рубан
(«Московский технологический университет» МИРЭА)

Частотные характеристики нитрид-галлиевых полевых транзисторов с учетом структурной релаксации барьерного слоя AlGaN
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)

 28.09.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Л.В. Белинский
(МИЭТ, ФТИАН)

Разработка методов и алгоритмов высокоточной томографии квантовых состояний
(по материалам кандидатской диссертации)

 14.09.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН, МИЭТ)

Информационные аспекты слабых и защищённых измерений

 07.09.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН)

Полупроводниковые квантовые точки с оптическим и электрическим управлением в квантовых вычислениях
(по материалам диссертационной работы на соискание ученой степени доктора физико-математических наук)

 06.07.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. В. Фастовец
(ФТИАН, МИЭТ)

Влияние декогерентизации на качество квантового хеширования

 29.06.2017 - 14:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

И.С. Федоров
( Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова)

Разработка основ технологии формирования электродов тонкопленочного литий-ионного аккумулятора методом магнетронного распыления
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)


А.С. Грязев
(Национальный Исследовательский Университет МЭИ)

Исследование характеристик рассеяния электронов в твёрдых телах для определения толщин нанопокрытий методами электронной спектроскопии
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)


Архив семинаров
Главная страница
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2017 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН РАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования