Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Дисс. совет | Конкурсы | Разработки | Издания и публикации | Семинары | Контакты


Следите за обновлениями на сайтах www.ftian.ru, www.icmne.ftian.ru, qi.cs.msu.su.

 Последние новости

09.07.2019
   
Сообщаем Вам о начале конкурсного отбора на предоставление грантов в форме субсидий в целях
реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным
направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»:
   1.3 Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий
   http://fcpir.ru/participation_in_program/contests/list_of_contests/1_published/2019-05-579-0001/
   1.2 Проведение прикладных научных исследований для развития отраслей экономики
   http://fcpir.ru/participation_in_program/contests/list_of_contests/1_published/2019-05-576-0001/

07.07.2019
   Профсоюз работников РАН собирает списки сотрудников научных организаций РАН в Москве, желающих принять участие в строительстве ЖСК, расположенных по адресам: ул. Фотиевой, д. 10, ул. Миклухо-Маклая, д. 23 и на других потенциальных участках в районах расположения институтов. Предполагаемая цена квадратного метра жилья в таком ЖСК может быть ниже рыночной на 30-50%.
   
   Пайщиками ЖСК с господдержкой могут быть граждане, относящиеся к определенным категориям: молодые ученые, научные и инженерно-технические работники государственных академий наук, государственных научных центров и научных организаций, военнослужащие, научно-педагогические работники высших учебных заведений, работники общеобразовательных учреждений и учреждений здравоохранения и культуры, а также работники организаций оборонно-промышленного комплекса и федеральные государственные служащие.
   Обязательные условия для работников научных организаций, которые имеют право вступить в члены ЖСК с господдержкой, таковы:
   
   - научная организация должна быть основным местом работы;
   
   - общий стаж работы в научных организациях должен превышать 5 лет (требование по стажу снимается для семей с 3 и более детьми, а также для молодых семей (где оба родителя не старше 35 лет, либо не старше 35 лет один родитель в неполной семье, с 1 и более ребенком);
   
   - у сотрудника не должно быть земельного участка, переданного ему под индивидуальное жилищное строительство.
   
   О своем желании участвовать в строительстве ЖСК необходимо сообщить в Профком ФТИАН им. К.А. Валиева РАН Родненковой Ольге Николаевне по e-mail: profkomftian@mail.ru не позже 31 августа 2019 г.

06.07.2019
   

Информация о конкурсах:
   


Седьмой конкурс на получение «мегагрантов»


   Организатор: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
   Основными задачами научных исследований, проводимых под руководством ведущих учёных в российских вузах и научных организациях, являются: создание исследовательских лабораторий мирового уровня; получение прорывных научных результатов и решение конкретных задач в рамках направлений определенных в Стратегии научно-технологического развития Российской Федерации, необходимых для развития инновационной экономики Российской Федерации и подготовки высококвалифицированных кадров, способных участвовать в решении таких задач. Участниками конкурса могут быть российские вузы и научные организации совместно с иностранными или российскими ведущими учёными, занимающими лидирующие позиции в определённой области наук. Гранты Правительства Российской Федерации выделяются в размере до 90 млн. рублей каждый на проведение научных исследований в 2019 – 2021 годах.Дедалйн: 1 августа 2019Дата подведения итогов конкурса 1 ноября 2019
   Подробности на сайте: http://www.p220.ru/home/news/item/1612-7konbeg
    
   

Конкурс на получение грантов по приоритетному направлению деятельности РНФ «Проведение исследований международными научными коллективами»


   Организатор: Российский научный фонд
   В конкурсе могут принимать участие проекты международных научных коллективов, каждый из которых состоит из российского научного коллектива и зарубежного научного коллектива. Гранты выделяются на осуществление фундаментальных научных исследований и поисковых исследований в 2020-2022 годах. Размер одного гранта Фонда составляет от 4 млн. до 6 млн.рублей ежегодго.
   Дедлайн конкурса: 01 июля 2019
   Подробности на сайте http://рнф.рф/ru/contests/
    
   

Конкурс на лучшие научные проекты, выполняемые молодыми учеными под руководством кандидатов и докторов наук в научных организациях Российской Федерации («Мобильность»)


   Организатор: Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ)
   Задача Конкурса – привлечение молодых ученых из России и других стран для участия в научных исследованиях, проводимых в российских научных организациях, создание молодым ученым условий для получения результатов, необходимых для завершения диссертации на соискание ученой степени PhD или кандидата наук.
   Размер гранта: 120 000 рублей в месяц. Максимальный размер гранта: 720 тыс. руб.
   Дедлайн: 01 авгутса 2019
   Срок реализации проекта: от 1 до 6 месяцев
   Подробности на сайте https://www.rfbr.ru/rffi/ru/contest/o_2070285
    
   

 Конкурс на лучшие научные проекты фундаментальных научных исследований, проводимый совместно РФФИ и Австрийским научным фондом


   Организатор: Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ)
   Задача Конкурса – поддержка фундаментальных научных исследований, развитие международного сотрудничества в области фундаментальных научных исследований, содействие включению российских ученых в мировое научное сообщество, создание условий для выполнения совместных научных проектов учеными из России и Австрии. Максимальный размер гранта: 5 млн. руб.
   Дедлайн: 06 июля 2022
   Дата проведения: 20 марта 2018 – 06 июля 2022
   Подробности на сайте https://www.rfbr.ru/rffi/ru/contest/o_2058186
    
   

 Восьмой Национальный Суперкомпьютерный Форум (НСКФ-2019)


    
   Организатор: АНО "НСКФ", Институт программных систем имени А.К. Айламазяна РАН, Национальная Суперкомпьютерная Технологическая Платформа (НСТП)
   НСКФ посвящен вопросам создания и практики применения суперкомпьютерных технологий. НСКФ-2019 включён в план работы Национальной Суперкомпьютерной Технологической Платформы.
   Дата проведения: 26 ноября ‒ 29 ноября 2019
   Подробности на сайте: http://2019.nscf.ru

04.07.2019
    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности:
   - младшего научного сотрудника по специальности квантовая информатика.
   Конкурс будет проводиться 04 сентября 2019 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.
   Дата окончания приема заявок 12.00 20.08.2019 г.
   
   Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)125-76-20
   

22.05.2019
   
ФГБУ науки Физико-технологический институт им. К. А. Валиева Российской академии наук
   с прискорбием сообщает, что 10 мая 2019г. на 75-м году жизни скоропостижно скончался
   
   Владимир Александрович КАЛЬНОВ

   
    В 1969 году Кальнов В.А. окончил Московский энергетический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». С 1969 года по 1991 работал на предприятии электронной промышленности НИИ «Сапфир». В 1989 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Ионно-лучевое травление в промышленной технологии формирования функциональных элементов СБИС ЗУ ЦМД». С 1991 года В.А. Кальнов работал в Физико-технологическом институте РАН в должности старшего научного сотрудника, а с 1998 года по 2018г ученый секретарь ФТИАН РАН.
    Научные интересы В. А. Кальнова связаны с разработкой и использованием в технологии микроэлектроники ВУФ-излучения, разработкой технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем с полной диэлектрической изоляцией на основе кремниевых мембран, разработкой прецизионной технологии осаждения тонких плёнок применительно к рентгеновским зеркалам, технологией микромеханики.
   Всю свою жизнь он посвятил кропотливому труду на благо своей страны.
   Уход из жизни Владимира Александровича – большая утрата для коллектива института и всех, кто непосредственно был связан с ним.
   Добрая память о В.А. Кальнове навсегда останется в сердцах всех, кто его знал.
   

21.03.2019
   Алексей Мельников, выпускник аспирантуры и сотрудник ФТИАН им. Валиева РАН (руководитель – ведущий научный сотрудник ФТИАН Л.Е. Федичкин) получил премию Национальной академии наук США за лучшую статью 2018 года.
   Редакционный совет PNAS — журнала Национальной академии наук США — назвал шесть научных работ, удостоенных Премии Коццарелли (Cozzarelli Prize). Лауреаты были выбраны из числа авторов более чем 3,2 тыс. научных статей, опубликованных в журнале в прошлом году. В категории физических и математических наук лучшей работой 2018 года признана работа Алексея Мельникова и его коллег, посвященная открытиям, совершённым машинным интеллектом в квантовых экспериментах: Active learning machine learns to create new quantum experiments. Учёные представили систему, которая сумеет формулировать эффективные эксперименты в области квантовой физики, не опираясь на человеческую интуицию, которая часто бывает несовершенной. Авторы показали, что самообучающиеся системы искусственного интеллекта могут заметно улучшить этот процесс.
   Премия Коццарелли была учреждена в 2005 году в качестве премии «Статья года». Награждение лауреатов 2018 года состоится 28 апреля на торжественной церемонии во время ежегодного собрания Национальной академии наук США в Вашингтоне, округ Колумбия.
   

12.03.2019
   Фонд развития теоретической физики и математики «БАЗИС» проводит грантовые конкурсы 2019 года «PostDoc», «Junior PostDoc» и «PhD Student»
   Дедлайн: 25 апреля 2019
   Поддержка талантливых кандидатов наук, аспирантов и молодых ученых без степени, проводящих теоретические исследования в области фундаментальной физики.
   Заявки принимаются через электронную систему по адресу https://basis-foundation.ru/application.


Архив новостей
 Полезные ссылки

25 лет ФТИАН 25 лет ФТИАН
Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова
Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН
 
Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур»
Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН

Все ссылки

 Голосование

Каким броузером вы пользуетесь?
Internet explorer
Firefox
Opera
Maxthon (myIE)
Другим


Всего голосов:1253

Посмотреть результаты




   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав.лабораторией физики квантовых компьютеров.
Валиев Камиль Ахметович    Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. В 2006 году был удостоен Государственной премии РФ. Среди учеников К. А. Валиева — академики, члены-корреспонденты РАН, доктора наук,руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

    28 июля 2010 года К.А.Валиев умер после тяжелой и продолжительной болезни. Память о нём навсегда сохранится в сердцах всех, кто с ним работал, дружил и встречался в жизни.

Орликовский Александр Александрович     Директором ФТИАН в 2005 году избран Орликовский А. А.
   Орликовский Александр Александрович, 1938 года рождения, выпусник Московского инженерно-физического института (1961), доктор технических наук (1982), профессор (1984), в 2000 г. избран членом-корреспондентом, а в 2006 г. академиком РАН, является автором и соавтором свыше 300 научных трудов, в том числе 2 монографий. В Академии наук работает с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
   В период с 1963 по 1980 г.г. внес большой вклад в разработку физических и схемотехнических проблем полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области.
   Орликовский А.А - один из основоположников научных исследований в области физических основ технологии кремниевой микро- и наноэлектроники. В этой области созданы основы новых технологий металлизации, плазменных процессов травления, осаждения и имплантации, методы мониторинга плазменных процессов, высокочувствительные детекторы момента окончания процессов, томограф низкотемпературной плазмы, оригинальные конструкции широкоапертурных источников плотной плазмы и автоматизированные плазменные установки.
   Последние годы А. А. Орликовский работает также над созданием технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.
   Орликовский А.А.является заведующим базовых кафедр в МФТИ и Ярославском госуниверситете (ЯрГУ) им. П.Г. Демидова, научным руководителем ЦКП «Диагностика микро- и наноструктур» (ЯрГУ им. П.Г.Демидова и ФТИАН), главным редактором журнала «Микроэлектроника», председателем оргкомитета регулярной Международной конференции «Микро- и наноэлектроника» (ICMNE), членом бюро ОНИТ РАН, членом двух Научных советов РАН, двух советов по защитам диссертаций, членом Экспертного Совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности при Комитете Государственной Думы РФ по образованию, членом Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук, членом Азиатско-тихоокеанской академии наук о материалах. Является лауреатом премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С.А. Лебедева РАН. Награжден медалью 850-летия г. Москвы и орденом Дружбы.

   Академик А. А. Орликовский ушел из жизни 1 мая 2016 года. Память о нем навсегда останется в сердцах коллег, друзей и знакомых.

 

Лукичев Владимир Федорович      В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
   Родился 12 ноября 1954 года, в 1978 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.
   В институте работает со дня его основания, с апреля 2005 года – в должности заместителя директора по научной работе. Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».

 

Руденко Константин Васильевич    Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, 1961 года рождения, с отличием окончил Московский институт тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (1984), доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях. В Институте работает с 1990 г., прошел творческий путь от научного сотрудника до заместителя директора по научной работе (с 2016 г.), совмещает административную работу и научное руководство Лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов ФТИАН.    В период с 1996 по 2008 г.г. внес большой вклад в развитие научных основ плазменных технологий микро- и наноэлектроники, физических методов диагностики плазмостимулированных процессов с применением низкотемпературной химически активной плазмы, лежащих в основе базовых плазмохимических технологий. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области.    Принимал активное участие в работах Физико-технологического института по созданию отечественных широкоапертурных источников плазмы для микротехнологических применений. Коллектив разработчиков награжден золотой медалью ВВЦ (ВДНХ) за создание опытной линейки плазмохимических установок с данными источниками.    В настоящее время научные интересы К.В. Руденко сконцентрированы в области физики, создания новых конструкций и технологий МДП-нанотранзисторов и низкоразмерных полупроводниковых структур с длиной канала 10 нм и менее.    Руденко К.В. читает курсы лекций в качестве профессора базовой кафедры МФТИ «Наноэлектроника и квантовые компьютеры», является членом редколлегии - ответственным секретарем журнала «Микроэлектроника» («Russian Microelectronics»), со-председателем оргкомитета регулярной Международной научной конференции «International Conference on Micro- and Nanoelectronics» (ICMNE). Член 2-х Диссертационных Советов, эксперт РФФИ, координатор тематического экспертного совета в Отделе «офи-м» РФФИ.

 

Хорин Иван Анатольевич    Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, родился в г. Москве 2 ноября 1975 года. В 1998 году окончил с отличием Московский государственный институт электроники и математики по специальности «Электронное машиностроение» и поступил на работу в ФТИАН РАН. В 2002 году получил ученую степень кандидата физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета. В 2018 году избран ученым секретарем ФТИАН им К.А. Валиева РАН.
   Научные интересы Хорина И.А. связаны с исследованиями многоуровневых систем металлизации ИС, затворных структур для нанотранзисторов, многослойных металлических наноструктур, с методами исследования материалов и структур электроники.
   Хорин И.А. является автором более 60 работ, в том числе, учебного пособия «Технологии электронной компонентной базы», которое заняло I место в номинации “Компьютерные и информационные науки” I конкурса публикаций «Университетский учебник-2017», организованного ООО Компанией «Ай Пи Ар Медиа». Кроме того, Хорин И.А. отмечен в 2002 году Почетной медалью Международной Академии авторов научных открытий и изобретений «За заслуги в деле изобретательства» в области многоуровневой технологии УБИС и в 2004 году Премией «Международной академической издательской компании «Наука/Интерпериодика» за лучшую публикацию в издаваемых ею журналах.

 

Скалкин Сергей Иванович    Скалкин Сергей Иванович, заместитель директора по общим вопросам, родился 17 марта 1951 года, в 1980 году окончил ВТУЗ при Московском автомобильном заводе им. И. А. Лихачева по специальности «Двигатели внутреннего сгорания». В Физико-технологическом институте работает с 2004 г., представляет интересы института в органах государственной власти и коммерческих структурах по вопросам финансово-хозяйственной деятельности и управления имуществом. Курирует деятельность отделов: материально-технического снабжения, эксплуатационно-технического, производственно-транспортного.




Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева РАН Министерства науки и высшего образования России находится под научно-методическим руководством Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) Российской Академии Наук.
Основная сфера исследований, проводимых Физико-технологическим институтом РАН, и закрепленных в Уставе организации в виде научных направлений, - это фундаментальные, поисковые и прикладные исследования в области физики и технологий электронной компонентной базы (ЭКБ) информационных систем и технологии обработки информации, включая квантовые.
Руководят исследованиями в Институте два члена-корреспондента РАН, 16 докторов и 41 кандидат наук. Общая численность сотрудников института 178 человек.

Фундаментальные и поисковые исследования ведутся по направлениям:

  • Физика и научные основы технологий нанотранзисторов, наноструктур с низкой размерностью, интегральных приборов схем памяти вычислительно-информационных систем;
  • Физические основы квантовых вычислений, квантовые методы обработки информации и перспективная элементная база квантовых компьютеров;
  • Физика и технология элементной базы микро- и наносистемной техники
  • Физические модели и методы математического моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.
  • Исследования магнитных микроструктур и наномагнетиков.
  • Физика и диагностика поверхности и тонких пленок в структурах микроэлектроники, включая рентгеновские, электронно-микроскопические методы, методы локального анализа поверхности.
Среди прикладных задач:
  • Разработка новых типов широкоапертурных источников плотной низкотемпературной плазмы низкого давления и источников ионов для технологических применений в микро- и наноэлектронике;
  • Разработка экспериментального технологического оборудования для плазмостимулированного осаждения тонких пленок, анизотропного плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазменно-иммерсионной ионной имплантации, ионно-пучковых технологий;
  • Разработка автоматизированных методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
  • Разработка конструкций, технологических маршрутов и технологий изготовления элементов микро- и наноэлектромеханики
  • Разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
Структура института

Головная организация ФТИАН им. К.А. Валиева РАН в Москве имеет следующие подразделения:

  • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов;
    (руководитель д.ф.-м.н. К.В. Руденко)
  • Лаборатория ионно-лучевых технологий;
    (руководитель д.т.н. Ю.П. Маишев)
  • Лаборатория технологии микро- и наносистем;
    (руководитель чл.-корр. РАН В.Ф. Лукичев)
  • Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур;
    (руководитель д.ф.-м.н. М.А. Чуев)
  • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники;
    (руководитель д.ф.-м.н. Т.М. Махвиладзе)
  • Лаборатория физики квантовых компьютеров;
    (руководитель д.ф.-м.н. Ю.И. Богданов)
  • Лаборатория архитектуры высокопроизводительных вычислительных систем.
    (руководитель д.ф.-м.н. А.В. Цуканов, научный руководитель чл.-корр. РАН Ю.И. Митропольский)

Головная организация ФТИАН им. К.А. Валиева РАН в Москве имеет следующие подразделения:

  • Ярославский Филиал ФТИАН (вебсайт http://yf-ftian.ru/)
    (Руководитель филиала профессор, д.ф.-м.н. А.С. Рудый)
  • Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» ЯФ ФТИАН- ЯрГУ (вебсайт: http://ftian.ru/cffs/ и http://yf-ftian.ru/ckp)
Образовательная деятельность и подготовка научных кадров на базе ФТИАН РАН: При Институте функционируют:
  • Кафедра (базовая) наноэлектроники и квантовых компьютеров Московского физико-технического института, зав. кафедрой член-корреспондент РАН В.Ф.Лукичев, профессорско-преподавательский состав – ведущие ученые ФТИАН РАН. Проводит всеобъемлющую подготовку бакалавров и магистров по направлению 03.06.01. «Физика и астрономия», направленность подготовки «Физика конденсированного состояния (Физическая электроника)»
  • Кафедра (базовая) нанотехнологий в электронике и Научно-образовательный центр (НОЦ) «Демидовский центр нанотехнологий и инноваций» Ярославского Госуниверситета им. П.Г. Демидова при Ярославском Филиале ФТИАН, Зав. кафедрой - директор ЯФ ФТИАН РАН д.ф.-м.н. А.С. Рудый. Проводит подготовку бакалавров и магистров по направлению 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»
  • Научно-образовательный центр ФТИАН-МИФИ «Квантовые информационные технологии и нанотехнологии». Проводит подготовку специалистов в соответствующих областях.
  • Аспирантура РАН;
  • Cпециализированный Диссертационный Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах (временно закрыт).
ФТИАН РАН активно сотрудничает с ведущими ВУЗами России: Московским физико-техническим институтом (национальный исследовательский университет - МФТИ НИУ), Московским инженерно-физическим институтом (Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ), Московским институтом электронной техники (Национальный исследовательский ядерный университет МИЭТ), МИРЭА Российским технологическим университетом, Московским государственным университетом им. М.В. Ломоносова, Ярославским государственным университетом им. П.Г. Демидова.

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»

Библиотека ФТИАН
Библиотека ФТИАН


 12.09.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. С. Трушечкин
(МИАН)

Стойкость протокола квантовой криптографии ВВ84 при несовпадающих эффективностях однофотонных детекторов

 25.06.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. А. Абдуллаев
(РТУ МИРЭА)

Вакуумно-плазменное травление тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца и структур на их основе

 28.05.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

К. В. Егоров
(МФТИ (ГУ))

Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением

 16.05.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

В. М. Акулин.
(Университет Орсе)

Нелинейное взаимодействие двух оптических фотонов через коллективную моду прозрачного сверхпроводника

 16.04.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

Измерение зарядового кубита с помощью одноэлектронного транзистора на тройной квантовой точке

 11.04.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Томография квантовых процессов с неидеальными измерениями

 19.02.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю. М. Чесноков
(Национальный исследовательский центр Курчатовский институт)

Определение микроструктуры материалов кремниевой микро- и оптоэлектроники методами электронной микроскопии

 07.02.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. Беседин
(МИСиС)

Реализация и исследование двухкубитных вентилей на сверхпроводниковых структурах

 24.01.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. А. Семенихин
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Квантовомеханическое моделирование нанотранзистора

 13.12.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Н. А. Борщевская
(МГУ)

Многофотонные неклассические состояния света
(по материалам научно-квалификационной работы)

 06.12.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Р. С. Щуцкий
(Сколтех)

Классическая симуляция квантовых программ

 29.11.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, НИУ МИЭТ)

Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
(по материалам кандидатской диссертации)

 27.11.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А.В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

Одноэлектронный транзистор на линейной структуре из трех туннельно-связанных КТ с электрическим и оптическим управлением

 23.10.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Г. В. Баранов
(АО «НИИМЭ» и МФТИ (ГУ))

Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 28.06.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. Б. Квасный
(МИФИ, ФТИАН)

Адаптивная высокоточная томография зашумленных квантовых состояний
(по материалам магистерской работы)


Архив семинаров
Главная страница
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2019 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования