Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Дисс. совет | Конкурсы | Разработки | Издания и публикации | Семинары | Контакты


Следите за обновлениями на сайтах www.ftian.ru, www.icmne.ftian.ru, qi.cs.msu.su.

 Последние новости

08.02.2019
   Поздравление Министра науки и высшего образования Российской Федерации Михаила Котюкова с Днем российской науки
   

07.02.2019
   В соответствии с поручением Министра науки и высшего образования Российской Фудерации М. М. Котюкова приводим следующую информацию:
   Профилактика гриппа и ОРВИ
   Основыне факты о гриппе
   

04.02.2019
   Информация о конкурсах:
   
   1. Открытый конкурсный отбор интердисциплинарных научных проектов
   
   Организатор: Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО)
   Дедлайн конкурса: 28 февраля 2019
   
   Проект должен удовлетворять критерию интердисциплинарности, то есть объединять над решением единой задачи специалистов, работающих не менее чем в двух из следующих областей:
   -Фотоника, оптика, лазеры, оптические материалы и технологии;
   -Информационные технологии, программирование, информационные и компьютерные сети;
   -Управление, робототехника, мехатроника, навигация, электропривод;
   -Биотехнологии, пищевые технологии, фармацевтика;
   -Урбанистика, архитектура, логистика;
   -Медицина, генетика, науки о жизни.
   
   Подробности на сайте http://news.ifmo.ru/ru/contest/48845/
   
   
   2. Исследовательские гранты 2019 года в области фундаментальной физики для научных групп
   
   Организатор: Фонд развития теоретической физики и математики «БАЗИС»
   Дедлайн конкурса: 20 марта 2019
   
   В рамках конкурса поддержку могут получить научные группы, состоящие из ведущего ученого (Руководитель) и работающих под его руководством молодых кандидатов наук, аспирантов, молодых ученых без степени и студентов старших курсов (Молодой участник).
   Минимальное количество молодых участников научной группы – 2 человека, максимальное – 4 человека, в том числе не более 1 кандидата наук, не более 2 аспирантов или молодых ученых без степени и не более 3 студентов.
   
   Подробности на сайте https://basis-foundation.ru/general-competitions/theorphysics/research-grants/leader/
   

26.12.2018
   Новогоднее поздравление Министра науки и высшего образования Российской Федерации Михаила Котюкова руководству и сотрудникам научных организаций

25.12.2018
   Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности заместителя директора по научной работе Ярославского филиала ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.
   Конкурс будет проводиться 07 февраля 2019 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.
   Дата окончания приема заявок 10.00 29.01.2019 г.
   
   Телефон для справок: (499)125-76-20, (499)129-49-57
   

17.12.2018
   Совет международного союза физиков проводит конкурс работ молодых ученых в области физики магнитных явлений (для исследователей, у которых стаж научной работы после кандидатской не превышает 8 лет).
   
   Премия победителям - 1000 €
   Крайний срок подачи заявок: 31 января 2019 г.
   
   Объявление о конкурсе можно загрузить по данной ссылке.

14.12.2018
    Международная научная конференция "Микро- и наноэлектроника 2018" (ICMNE-2018) проходила с 1 по 5 октября 2018 года в пансионате "Ершово" Одинцовского района. Эта регулярная конференция, организованная Физико-технологическим институтом имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН) совместно с АО "НИИМЭ", посвящена фундаментальным аспектам исследований в области электронной компонентной базы перспективных информационных систем. Традиционными её спонсорами, в том числе в 2018 году, выступили РФФИ, ОНИТ РАН, АО "НИИМЭ", компания "TechnoInfo Ltd.", компьютерная компания "НИКС".
    На конференции ICMNE-2018, , было представлено около 100 устных докладов и более 80 стендовых докладов (рабочий язык английский). Эти доклады отражают состояние теоретических, поисковых и прикладных исследований в области актуальных задач микро- и наноэлектроники, которые проводятся в институтах РАН, университетах, исследовательских организациях электронной промышленности России, а также учеными стран дальнего и ближнего зарубежья.
   


Архив новостей
 Полезные ссылки

25 лет ФТИАН 25 лет ФТИАН
Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова
Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН
 
Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур»
Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН

Все ссылки

 Голосование

Каким броузером вы пользуетесь?
Internet explorer
Firefox
Opera
Maxthon (myIE)
Другим


Всего голосов:1241

Посмотреть результаты




   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав.лабораторией физики квантовых компьютеров.
Валиев Камиль Ахметович    Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. В 2006 году был удостоен Государственной премии РФ. Среди учеников К. А. Валиева — академики, члены-корреспонденты РАН, доктора наук,руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

    28 июля 2010 года К.А.Валиев умер после тяжелой и продолжительной болезни. Память о нём навсегда сохранится в сердцах всех, кто с ним работал, дружил и встречался в жизни.

Орликовский Александр Александрович     Директором ФТИАН в 2005 году избран Орликовский А. А.
   Орликовский Александр Александрович, 1938 года рождения, выпусник Московского инженерно-физического института (1961), доктор технических наук (1982), профессор (1984), в 2000 г. избран членом-корреспондентом, а в 2006 г. академиком РАН, является автором и соавтором свыше 300 научных трудов, в том числе 2 монографий. В Академии наук работает с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
   В период с 1963 по 1980 г.г. внес большой вклад в разработку физических и схемотехнических проблем полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области.
   Орликовский А.А - один из основоположников научных исследований в области физических основ технологии кремниевой микро- и наноэлектроники. В этой области созданы основы новых технологий металлизации, плазменных процессов травления, осаждения и имплантации, методы мониторинга плазменных процессов, высокочувствительные детекторы момента окончания процессов, томограф низкотемпературной плазмы, оригинальные конструкции широкоапертурных источников плотной плазмы и автоматизированные плазменные установки.
   Последние годы А. А. Орликовский работает также над созданием технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.
   Орликовский А.А.является заведующим базовых кафедр в МФТИ и Ярославском госуниверситете (ЯрГУ) им. П.Г. Демидова, научным руководителем ЦКП «Диагностика микро- и наноструктур» (ЯрГУ им. П.Г.Демидова и ФТИАН), главным редактором журнала «Микроэлектроника», председателем оргкомитета регулярной Международной конференции «Микро- и наноэлектроника» (ICMNE), членом бюро ОНИТ РАН, членом двух Научных советов РАН, двух советов по защитам диссертаций, членом Экспертного Совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности при Комитете Государственной Думы РФ по образованию, членом Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук, членом Азиатско-тихоокеанской академии наук о материалах. Является лауреатом премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С.А. Лебедева РАН. Награжден медалью 850-летия г. Москвы и орденом Дружбы.

   Академик А. А. Орликовский ушел из жизни 1 мая 2016 года. Память о нем навсегда останется в сердцах коллег, друзей и знакомых.

 

Лукичев Владимир Федорович      В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
   Родился 12 ноября 1954 года, в 1978 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.
   В институте работает со дня его основания, с апреля 2005 года – в должности заместителя директора по научной работе. Автор более 70 научных публикаций, ответственный секретарь журнала «Микроэлектроника».

 

Хорин Иван Анатольевич    Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, родился в г. Москве 2 ноября 1975 года. В 1998 году окончил с отличием Московский государственный институт электроники и математики по специальности «Электронное машиностроение» и поступил на работу в ФТИАН РАН. В 2002 году получил ученую степень кандидата физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета. В 2018 году избран ученым секретарем ФТИАН им К.А. Валиева РАН.
   Научные интересы Хорина И.А. связаны с исследованиями многоуровневых систем металлизации ИС, затворных структур для нанотранзисторов, многослойных металлических наноструктур, с методами исследования материалов и структур электроники.
   Хорин И.А. является автором более 60 работ, в том числе, учебного пособия «Технологии электронной компонентной базы», которое заняло I место в номинации “Компьютерные и информационные науки” I конкурса публикаций «Университетский учебник-2017», организованного ООО Компанией «Ай Пи Ар Медиа». Кроме того, Хорин И.А. отмечен в 2002 году Почетной медалью Международной Академии авторов научных открытий и изобретений «За заслуги в деле изобретательства» в области многоуровневой технологии УБИС и в 2004 году Премией «Международной академической издательской компании «Наука/Интерпериодика» за лучшую публикацию в издаваемых ею журналах.

 

Скалкин Сергей Иванович    Скалкин Сергей Иванович, заместитель директора по общим вопросам, родился 17 марта 1951 года, в 1980 году окончил ВТУЗ при Московском автомобильном заводе им. И. А. Лихачева по специальности «Двигатели внутреннего сгорания». В Физико-технологическом институте работает с 2004 г., представляет интересы института в органах государственной власти и коммерческих структурах по вопросам финансово-хозяйственной деятельности и управления имуществом. Курирует деятельность отделов: материально-технического снабжения, эксплуатационно-технического, производственно-транспортного.




Институт ведет исследования как фундаментального, так и прикладного характера.

Среди фундаментальных проблем:

  • физика и элементная база квантовых компьютеров;
  • физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
  • рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
  • исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
  • исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
  • научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
  • модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.
Среди прикладных задач:
  • разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
  • разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
  • разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
  • разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
  • разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
  • разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
  • разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;
   В составе Института работают два члена-корреспондента РАН, 16 докторов и 42 кандидатов наук. Общая численность сотрудников института 175 чел.

Структура института

В составе института работают следующие подразделения:

  • Ярославский филиал ФТИАН;
  • Лаборатория физики квантовых компьютеров;
  • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов;
  • Лаборатория ионно-лучевых технологий;
  • Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур;
  • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники;
  • Лаборатория архитектуры высокопроизводительных вычислительных систем.
При институте работают:
  • базовая кафедра наноэлектроники и квантовых компьютеров Московского физико-технического института, зав.кафедрой член-корреспондент РАН В.Ф.Лукичев;
  • базовая кафедра нанотехнологий в электронике и Научно-образовательный центр (НОЦ) «Демидовский центр нанотехнологий и инноваций» Ярославского Госуниверситета им. П.Г. Демидова при Ярославском филиале ФТИАН;
  • НОЦ ФТИАН-МИФИ «Квантовые информационные технологии и нанотехнологии»;
  • аспирантура;
  • специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);
  • Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» ЯфФТИАН- ЯрГУ.
                              В рамках программы «Интеграция» ФТИАН сотрудничает с Московским инженерно-физическим институтом, Московским институтом электронной техники (ТУ), Московским государственным университетом им. М. В. Ломоносова.

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»

Библиотека ФТИАН
Библиотека ФТИАН


 19.02.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю. М. Чесноков
(Национальный исследовательский центр Курчатовский институт)

Определение микроструктуры материалов кремниевой микро- и оптоэлектроники методами электронной микроскопии

 07.02.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. Беседин
(МИСиС)

Реализация и исследование двухкубитных вентилей на сверхпроводниковых структурах

 24.01.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. А. Семенихин
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Квантовомеханическое моделирование нанотранзистора

 13.12.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Н. А. Борщевская
(МГУ)

Многофотонные неклассические состояния света
(по материалам научно-квалификационной работы)

 06.12.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Р. С. Щуцкий
(Сколтех)

Классическая симуляция квантовых программ

 29.11.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, НИУ МИЭТ)

Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
(по материалам кандидатской диссертации)

 27.11.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А.В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

Одноэлектронный транзистор на линейной структуре из трех туннельно-связанных КТ с электрическим и оптическим управлением

 24.10.2018 - 15:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

О.А. Рубан
(ИСВЧПЭ РАН)

Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики
(защита диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)

 23.10.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Г. В. Баранов
(АО «НИИМЭ» и МФТИ (ГУ))

Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 28.06.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. Б. Квасный
(МИФИ, ФТИАН)

Адаптивная высокоточная томография зашумленных квантовых состояний
(по материалам магистерской работы)

 19.06.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

И. В. Черноусов
(МФТИ (ГУ))

Особенности кинетики носителей заряда в кристаллах со структурой алмаза
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)


Ю. Д. Сибирмовский
(НИЯУ МИФИ)

Механизмы формирования, оптические и электронные транспортные свойства ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 14.06.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

К. Г. Катамадзе
(ФТИАН, МГУ)

Томография линейно-оптических интегральных схем (литературный обзор)

 31.05.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. И. Зенчук
(ИПХФ РАН)

Перенос и создание удаленных квантовых состояний в системе частиц со спином 1/2

 24.05.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

В. В. Погосов
(ВНИИА)

Алгоритмическая симуляция квантовых систем на квантовом компьютере


Архив семинаров
Главная страница
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2019 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования